DMN2991UFZ-7B
DMN2991UFZ-7B参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 550mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 530mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN0606-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 350nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21.5pF @ 16V |
DMN2991UFZ-7B手册
DMN2991UFZ-7B概述
产品概述：DMN2991UFZ-7B N通道MOSFET
一、基本信息
DMN2991UFZ-7B是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N通道MOSFET，其采用了先进的金属氧化物半导体技术，专为各种电子应用而设计。该器件以其优越的电性能和广泛的工作温度范围，成为现代电源管理、开关电源、驱动电路等应用中的理想选择。
二、关键参数
漏极电流（Id）：在25°C时，DMN2991UFZ-7B的最大连续漏极电流为550mA。这使得其在多个应用场景中能够稳定工作，如LED驱动、电机控制等。
导通电阻（Rds(on)）：该器件在4.5V的栅源电压（Vgs）下最大导通电阻仅为990mΩ（@100mA），提供了良好的电流传导效率，有助于减少能量损耗，提升整体电路效率。
开启电压（Vgs(th)）：DMN2991UFZ-7B的开启电压（Vgs(th)）为最大1V（@250µA），可以很容易地与微控制器和其他低电压逻辑驱动器接口，提升电路的灵活性。
封装类型：该MOSFET采用小型的X2-DFN0606-3封装，适合表面贴装（SMD），不仅节省空间，还使得热管理更加高效。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为530mW（@25°C），可以在高温环境下稳定工作，确保其性能可靠。
工作温度范围：DMN2991UFZ-7B的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其适用于各种严苛环境。
漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为20V，适合中低压应用。
栅极电荷（Qg）：在4.5V驱动下，栅极电荷为350nC，这重要参数对于高速开关应用尤为关键，能够降低开关损耗。
输入电容（Ciss）：在16V时，输入电容（Ciss）最大为21.5pF，低输入电容使得该MOSFET在高速开关应用中的性能更为突出。
三、应用领域
DMN2991UFZ-7B广泛应用于以下几个领域：
电源管理：在各种开关电源和线性电源中用作开关元件，提供高效的电流控制。
LED驱动：因其高效能和低导通电阻，适合用于LED驱动电路。
电机控制：可用作H桥电路中的开关元件，控制直流电机或步进电机的驱动。
信号切换：在信号调理和开关电路中，DMN2991UFZ-7B能够实现低损耗的信号切换。
消费电子：在各种电子设备中，如手机、平板电脑等，充电器和保护电路中得到了广泛应用。
四、总结
DMN2991UFZ-7B是一款性能卓越的N通道MOSFET，具有高电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，使其在多种电子应用中表现出色。随着电子技术的不断进步和应用场景的扩展，该MOSFET无疑将在电源管理、LED驱动和电机控制等领域发挥重要作用。为确保设计的最佳性能，工程师在选择该器件时应仔细考虑其参数与具体应用需求的匹配程度。