DMP2004KQ-7 产品实物图片
DMP2004KQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP2004KQ-7

商品编码: BM0000745391
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.403
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.403
--
200+
¥0.26
--
1500+
¥0.226
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2004KQ-7参数

功率(Pd)550mW反向传输电容(Crss@Vds)20pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@4.5V,430mA
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)20V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)175pF
连续漏极电流(Id)600mA阈值电压(Vgs(th)@Id)500mV@250uA

DMP2004KQ-7手册

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DMP2004KQ-7概述

DMP2004KQ-7是一款由美台(DIODES)公司生产的绝缘栅场效应管(MOSFET),其采用SOT23封装。这款MOSFET在电子器件中扮演着至关重要的角色,广泛应用于各种电源管理、开关电源、DC-DC变换器和电机驱动等领域。以下是该产品的详细概述。

1. 产品特性

DMP2004KQ-7具有以下主要特性:

  • 高效能:该MOSFET的低导通电阻值(R_DS(on))和快速开关特性使其在有效地降低功耗方面表现优异。这一特性使得DMP2004KQ-7在电源管理应用中,能够显著提升系统的整体效率。
  • 高承受电压:产品能够承受较高的电压(V_DS),通常在30V左右,这使其适用于高压环境下的应用。
  • 开关速度快:快速的开关速度意味着设备可以在更高频率下工作,这对于现代快速电子设备是至关重要的。
  • 低栅极驱动电压:DMP2004KQ-7适合于低栅极驱动电压的应用,提供了更广泛的兼容性和更易于驱动的特性。

2. 封装和物理特性

DMP2004KQ-7采用SOT23封装,具有以下优势:

  • 小巧紧凑:SOT23封装的设计使其能够在空间受限的应用中占用较少的面积,适合高密度电路布局。
  • 良好的散热性能:虽然封装小巧,但SOT23仍然允许良好的散热,这对于处理较高功率和优化性能至关重要。

3. 应用场景

DMP2004KQ-7广泛应用于各类电子电路,其应用领域包括但不限于:

  • DC-DC转换器:MOSFET的高效性能使其成为DC-DC转换器的理想选择,可有效提高转换效率,降低热量产生。
  • 电机驱动:在电机控制领域,DMP2004KQ-7能快速开关,有助于提高电机的控制精度和响应速度。
  • 开关电源:在开关电源设计中,该MOSFET的低导通电阻以及快速的开关特性,有助于提升电源的稳定性和响应速度。
  • 负载开关:其能够在小尺寸应用中,作为负载开关来控制电流的开关状态,应用于便携式设备、消费电子等。

4. 性能指标

在选择MOSFET时,重要性能指标包括导通电阻、耐压、电流处理能力等。以DMP2004KQ-7为例,其典型性能指标如下:

  • 额定电流:通常可以处理高达2A的持续电流,适合多种应用需求。
  • 导通电阻(R_DS(on)):在特定的栅极电压下,该产品的导通电阻较低,有效减少了在通电状态下的功耗。
  • 温度稳定性:对温度变化具有良好的适应性,适合高温环境下的应用。

5. 总结

DMP2004KQ-7作为美台(DIODES)公司推出的高性能MOSFET,凭借其低功耗、高效率、快速开关和优异的耐压能力,成为众多电子设计工程师的首选。它的尺寸小巧、封装良好、应用广泛,使得DMP2004KQ-7在现代电子产品中具备了不可或缺的地位。在电源管理、电动机驱动以及其它多个领域,DMP2004KQ-7都显示出了卓越的性能与强大的适应性,是实现高性能电子设计的理想之选。