IPP082N10NF2SAKMA1

IPP082N10NF2SAKMA1 产品概述

1. 产品简介

IPP082N10NF2SAKMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款强大且高效的N沟道MOSFET，属于其StrongIRFET™ 2系列。这款场效应管（MOSFET）专为高效能、高可靠性应用而设计，其在高电压和大电流条件下的表现尤为出色。IPP082N10NF2SAKMA1采用TO-220-3封装，适应广泛的功率电子应用，如电源管理、逆变器、电动机驱动和工业自动化等。

2. 关键规格

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: StrongIRFET™ 2
• 元件状态: 在售
• FET 类型: N通道
• 漏源电压 (Vdss): 100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（环境温度Ta），77A（冷却温度Tc）
• 驱动电压 (Vgs): 6V至10V
• 导通电阻 (Rds On): 最大值为8.2毫欧（在50A和10V条件下）
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值3.8V（在46µA下）
• 栅极电荷 (Qg): 最大值42 nC（在10V下）
• 最大栅极-源电压 (Vgs): ±20V
• 输入电容 (Ciss): 最大值2000 pF（在50 V下）
• 功率耗散 (Ptot): 最大值3.8W（环境温度Ta），100W（冷却温度Tc）
• 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（结温TJ）
• 封装类型: TO-220-3
• 安装类型: 通孔

3. 性能特点

IPP082N10NF2SAKMA1 MOSFET的设计采用了尖端的平面工艺，使其在高频和快速开关应用中具有优越的性能。最大导通电阻值低至8.2毫欧，确保在大电流下的高电效和较低的热损耗。这对于需要高效能和长时间运行的应用场合尤为重要。

其电流能力，在环境温度下最高可达15A，且在适当冷却的情况下可达到77A，使其能够在各种负载条件下稳定运行。这一特性使其非常适合用于电源转换、高效能电机驱动器和大功率开关应用。

4. 应用领域

IPP082N10NF2SAKMA1广泛应用于电力电子领域，特别是在以下场景中展现出卓越的性能：

• 开关电源: 能够处理高负载和高开关频率要求。
• 太阳能逆变器: 提供高效能转换效率，既降低能耗，又提高系统稳定性。
• 电动汽车驱动系统: 在电驱动技术中提供强大的性能支持，提升电动车辆的能量利用率。
• 工业自动化: 在工厂自动化设备中应用，增强机械操作的灵活性和便捷性。
• 家电控制: 用于各种家电设备，有助于降低能耗并延长设备的使用寿命。

5. 散热与安装

采用TO-220-3封装，IPP082N10NF2SAKMA1 MOSFET易于处理和安装。其设计也考虑了有效的散热性能，允许设备在高电流状态下安全运行。功率耗散可以达到3.8W（在环境温度下）和100W（在适当冷却条件下），使用时建议结合散热片等散热措施，以提升效率和可靠性。

6. 结论

IPP082N10NF2SAKMA1 MOSFET以其出色的性能特征和广泛的应用领域，成为高性能电源管理和电动驱动应用的理想选择。其高效能、低功耗及耐高温的工作能力，使其在现代电子设计中扮演着重要的角色。无论在新设计中还是在现有系统的升级中，IPP082N10NF2SAKMA1都能提供可靠、高效的方案，确保电子设备实现最佳性能。