DMN3731U-13
DMN3731U-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 900mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 460 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 0.95V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 73pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN3731U-13手册
DMN3731U-13概述
DMN3731U-13 产品概述
1. 基本信息
DMN3731U-13 是由美台（DIODES）制造的一款N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于电源管理、负载开关和高频开关应用等领域。其设计优化的关键参数使得其在各种电子电路中表现出色，适合用于多个应用场合。
2. 重要规格
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源电压最高可达30V，适合于中低压电源环境。该高电压限制确保了在设计中可以安全地承受相应的电压而不发生击穿。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件能够持续承载900mA的电流，这使其在电源管理和其他应用中具有较大的负载处理能力。
导通电阻（Rds On）: 该MOSFET在4.5V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为460毫欧，表现出良好的电流传导特性，可以有效减少功率损耗和发热，从而提高系统的效率。
门源阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大门源阈值电压为0.95V（@250µA），这提供了较低的驱动电压需求，便于与微控制器和其他逻辑电路的直接对接。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为5.5nC（@4.5V），这一参数直接影响MOSFET的开关速度和驱动电路的负担，提高了开关频率下的性能表现。
3. 包装与尺寸
DMN3731U-13采用SOT-23封装，符合TO-236-3和SC-59标准，封装尺寸小，适合于紧凑型电子设备的设计。表面贴装的安装类型便于自动化生产和焊接，能够有效降低生产成本，提高装配效率。
4. 功率耗散与工作温度
该MOSFET的最大功率耗散为400mW，提供了适度的散热能力，能够在各种功率条件下稳定工作。工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保其在极端温度下也能正常工作，使其适用于军事、航空及工业领域等需要高可靠性的应用。
5. 应用领域
由于其较低的导通电阻、高电流承载能力以及优异的开关性能，DMN3731U-13广泛应用于：
电源管理: 在DC-DC转换器和电源开关中，承载从主电源到负载的电流，保障电源供应的稳定性和有效性。
负载开关: 控制各种负载的启停，适用于电池供电设备中的开关模块，有效延长电池寿命。
高频开关: 由于其低栅极电荷和快速开关特性，适用于开关频率较高的应用，如逆变器、充电器等。
6. 结论
DMN3731U-13作为一款高性能N通道MOSFET，其优良的电气特性、适宜的功率和宽广的工作温度范围，使其成为众多电子应用的不二选择。凭借其有效的散热管理和小型封装，设计人员可以方便地将其集成到各种电路中，提升产品的整体性能与效率。无论是在消费者电子、工业控制还是汽车电子等领域，DMN3731U-13的应用潜力都值得充分挖掘与研究。