FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 95 毫欧 @ 3.8A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.1nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 254pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 650mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMP3125L-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,具备超低导通电阻和高速开关能力,适用于多种电源管理和开关控制应用。该器件由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产,采用 SOT-23 表面贴装封装,符合广泛应用的尺寸需求。
DMP3125L-13 的功能特性使其适用于多种应用,包括但不限于:
DMP3125L-13 采用 SOT-23 封装,具有小尺寸和低空间占用特点,尤其适合紧凑型电路设计。其表面贴装形式大大简化了安装过程,适应现代表面贴装技术(SMT)。
作为一款多功能、高性能的 P 通道 MOSFET,DMP3125L-13 在多种电子应用中展现出其处理高电流、高电压的能力,且具有极低的导通电阻及快速开关特性。其宽广的工作温度范围和有效的功率管理让其成为需求多样、环境要求严格的应用中的理想选择。无论是电源管理,还是开关控制,DMP3125L-13 都能满足设计师对高可靠性和高效率的追求。