DMP3125L-13 产品实物图片
DMP3125L-13 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP3125L-13

商品编码: BM0000745355
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 650mW 30V 2.5A 1个P沟道 TO-236-3
库存 :
820(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.624
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.624
--
100+
¥0.431
--
500+
¥0.391
--
2500+
¥0.363
--
5000+
¥0.339
--
10000+
¥0.316
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3125L-13参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)95 毫欧 @ 3.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)3.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)254pF @ 25V
功率耗散(最大值)650mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

DMP3125L-13手册

empty-page
无数据

DMP3125L-13概述

DMP3125L-13 产品概述

概要

DMP3125L-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,具备超低导通电阻和高速开关能力,适用于多种电源管理和开关控制应用。该器件由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产,采用 SOT-23 表面贴装封装,符合广泛应用的尺寸需求。

基础参数与特性

  • FET 类型: P 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏电流 (Id): 在 25°C 下可承受最高 2.5A 的连续漏极电流,提供足够的功率支持。
  • 驱动电压: 可在 4.5V 和 10V 驱动下运行,实现最佳的 Rds On 性能。这一特性使得 DMP3125L-13 能够在较低的门电压下高效工作,降低功耗。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 Id = 3.8A,Vgs = 10V 时,最大导通电阻为 95 毫欧,保证了最低的功率损耗与热量生成,提升电路的效率。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.1V @ 250µA,使其在较低栅电压下便可开启,扩大了应用选择。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 驱动下,栅极电荷最大值为 3.1nC,支持高速开关操作,提升开关频率,减少开关损耗。
  • 输入电容 (Ciss): 在 Vds = 25V 时,最大输入电容为 254pF,这对于信号传输速率和开关频率具有积极影响。
  • 最大功率耗散: 650mW,适合高温环境和高负荷的应用。
  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C,具备优秀的温度稳定性和适应能力,适用于极端工作条件。

应用场景

DMP3125L-13 的功能特性使其适用于多种应用,包括但不限于:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器和线性稳压器电路。
  • 开关控制:用于低侧开关应用,能够有效控制负载电流。
  • LED 驱动:可以用于高效的LED驱动电路,确保持续稳定的输出。
  • 电池管理系统:在便携式设备和电动车辆中,优化电池性能和使用寿命。
  • 电子开关:广泛应用于家电客户中的开关型电路,提升产品可靠性。

封装与安装

DMP3125L-13 采用 SOT-23 封装,具有小尺寸和低空间占用特点,尤其适合紧凑型电路设计。其表面贴装形式大大简化了安装过程,适应现代表面贴装技术(SMT)。

总结

作为一款多功能、高性能的 P 通道 MOSFET,DMP3125L-13 在多种电子应用中展现出其处理高电流、高电压的能力,且具有极低的导通电阻及快速开关特性。其宽广的工作温度范围和有效的功率管理让其成为需求多样、环境要求严格的应用中的理想选择。无论是电源管理,还是开关控制,DMP3125L-13 都能满足设计师对高可靠性和高效率的追求。