2DD1766P-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2DD1766P-13

商品编码: BM0000745352
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.086g
描述 : 
三极管(BJT) 1W 32V 2A NPN SOT-89-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.29
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.29
--
100+
¥0.991
--
1250+
¥0.84
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

2DD1766P-13参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)32V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)800mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)82 @ 500mA,3V
功率 - 最大值1W频率 - 跃迁220MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89-3

2DD1766P-13手册

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2DD1766P-13概述

产品概述:2DD1766P-13

1. 概述

2DD1766P-13是由美台(DIODES)品牌生产的一款高性能NPN晶体管,封装类型为SOT-89-3,广泛应用于各种电子电路中。这种晶体管设计用于低功耗与高频率的应用场景,具有优良的电流增益和较低的饱和压降,适合在严苛的工作环境下稳定运行。

2. 技术规格

2DD1766P-13的主要技术参数包括:

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic)最大值: 2A
  • 集射极击穿电压(Vce)最大值: 32V
  • 饱和压降(Vce(sat)): 最大值为800mV(在200mA和2A的条件下)
  • 集电极截止电流(ICBO)最大值: 1µA
  • 直流电流增益(hFE): 最小值为82(在500mA和3V条件下)
  • 功率最大值: 1W
  • 频率跃迁: 220MHz
  • 工作温度范围: -55°C到150°C

3. 应用领域

由于其出色的性能,2DD1766P-13晶体管适用于多个应用场景,包括但不限于:

  • 开关电路: 由于其能承受高电流和低饱和压降,适合作为电子开关。
  • 放大器电路: 在音频和射频应用中,这款晶体管的高增益特性使其非常适合用于放大信号。
  • 高频信号处理: 频率跃迁达到220MHz,使其可在高频应用中稳定工作。
  • 电源管理: 适用于开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器等电源管理电路。

4. 性能特点

  • 高可靠性: 该型号的工作温度范围从-55°C到150°C,使其在极端环境下保持高度可靠。
  • 高收发性能: 借助其高频特性,2DD1766P-13能够处理高速信号,适合用于通信设备及高质量音频设备。
  • 低功耗特点: 在较高集电极电流下仍能保持低饱和压降,有助于降低整体功耗,提高能效。

5. 封装及安装

  • 包装形式: 2DD1766P-13采用SOT-89-3封装,适合表面贴装(SMD)技术,因此在现代电子设备中,能够有效节省空间并简化PCB设计。
  • 安装类型: 由于其表面贴装的特性,能够与自动化生产线兼容,促进快速生产。

6. 结论

总的来说,2DD1766P-13是性能优越的NPN晶体管,具有可靠的电气性能和宽广的应用范围。无论是在通信技术、音频设备,还是电源管理电路中,这款晶体管都能发挥其潜力。其严格的规格和高温度容忍度使其成为设计工程师的重要选择,以满足目前市场对高性能电子元件的需求。选用2DD1766P-13能够帮助您在产品设计中实现更高的效率与性能,提升您的最终产品的市场竞争力。