晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 800mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 500mA,3V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 220MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
2DD1766P-13是由美台(DIODES)品牌生产的一款高性能NPN晶体管,封装类型为SOT-89-3,广泛应用于各种电子电路中。这种晶体管设计用于低功耗与高频率的应用场景,具有优良的电流增益和较低的饱和压降,适合在严苛的工作环境下稳定运行。
2DD1766P-13的主要技术参数包括:
由于其出色的性能,2DD1766P-13晶体管适用于多个应用场景,包括但不限于:
总的来说,2DD1766P-13是性能优越的NPN晶体管,具有可靠的电气性能和宽广的应用范围。无论是在通信技术、音频设备,还是电源管理电路中,这款晶体管都能发挥其潜力。其严格的规格和高温度容忍度使其成为设计工程师的重要选择,以满足目前市场对高性能电子元件的需求。选用2DD1766P-13能够帮助您在产品设计中实现更高的效率与性能,提升您的最终产品的市场竞争力。