ZXMN3B01FTA
ZXMN3B01FTA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.93nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 258pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN3B01FTA手册
ZXMN3B01FTA概述
ZXMN3B01FTA 产品概述
ZXMN3B01FTA是一款高性能的N通道MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)，专为需要小功率开关和放大应用而设计。该产品由美台（DIODES）公司提供，具有出色的电气特性，适合多种电子应用。
1. 电气特性
漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源最大电压为30V，这是其在电路中可以安全运行的最高电压。这一特性使得ZXMN3B01FTA非常适合用于低压电源管理和电机驱动应用。
连续漏极电流（Id）：ZXMN3B01FTA在25°C时的连续漏极电流达到1.7A，能够满足大多数小型功率应用中的需求。这使得它可以在多种电流条件下稳定工作，适合需求波动的应用场景。
栅极驱动电压（Vgs）：此器件在Rds(on)最小值可最低支持2.5V的驱动电压，使得它非常适合与3.3V和5V逻辑级电路相结合。此外，在4.5V时，Rds(on)可降至最低150mΩ，从而实现低功耗和高效能。
2. 功率耗散和工作温度
功率耗散（Pd）：ZXMN3B01FTA的最大功率耗散为625mW，适合需要功率控制的应用。合理的功率管理能够避免器件过热，从而提高系统的稳定性和可靠性。
工作温度范围：该器件可以在-55°C至150°C的工作温度范围内可靠运行，适应各种极端环境条件。这一点特别适合汽车电子和工业控制领域，确保在高温和低温环境下都能正常功能。
3. 封装和安装
ZXMN3B01FTA采用紧凑的SOT-23封装（TO-236-3，SC-59），使得其在PCB设计中占用更少的空间。这种表面贴装型设计便于自动化焊接，适应现代快速的生产需求。同时，SOT-23封装的良好散热性能有助于器件在高功率下的稳定性。
4. 应用领域
ZXMN3B01FTA广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：作为开关元件使用，控制电源供给的开关。
- 电机驱动：用于小型直流电机的驱动控制，提供高效的电流控制。
- 负载开关：适合用于各种负载的连接与断开。
- 信号开关：处理低电流信号时的开关操作。
5. 性能优化
ZXMN3B01FTA具有较低的输入电容（Ciss）值，为258pF @ 15V，这使得其在高频率下仍然能够保持良好的开关性能。同时，栅极电荷（Qg）在4.5V时最大为2.93nC，表明该MOSFET在开关过程中的驱动要求较低，进而能够提高装置的整体效率。
结论
ZXMN3B01FTA是一款高效、可靠且适用广泛的N通道MOSFET，具有卓越的电气性能与优越的温度适应性。其紧凑的封装和优秀的导电性能，使其成为现代电子产品中非常理想的选择。无论是在电源管理、负载开关还是马达驱动方面，它都能为设计师提供灵活性和可靠性，是日常电子设计中不可或缺的元器件之一。