晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 250mA,10V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
FMMT493QTA 是一款高性能 NPN 晶体管,采用先进的表面贴装工艺设计,封装规格为 SOT-23。该产品由DIODES(美台)制造,具有较低的饱和压降、高电流增益和宽广的工作温度范围,非常适合各种电子应用,包括信号放大、开关电路和高频应用。
FMMT493QTA 晶体管主要应用于以下几个领域:
开关电路:由于其良好的开关特性和较高的集电极电流,该晶体管非常适合用于开关电源、继电器驱动等应用。
信号放大:以其最低 100 的增益,适合用于音频信号放大、视频信号处理等多种微弱信号的放大应用。
RF 及高频应用:其高达 150MHz 的跃迁频率使其适用于一些无线电频率应用及高频开关电路。
线性应用:可在放大器电路中使用,为精确线性控制提供支持。
高集电极电流:与同类器件相比,FMMT493QTA 可以处理更大的电流,最大集电极电流可达 1A,使其在各种需要强负载驱动的应用中更为适用。
低饱和压降:其饱和状态下的压降仅为 600mV(@ 1A),这意味着在大电流负载下,损失较小,提高了效率。
高增益特性:优秀的电流增益使其在更小的基极驱动电流下也能实现大的输出,降低了对控制电路的要求。
广泛的工作温度范围:-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围使得 FMMT493QTA 适用于需要在恶劣环境下工作的应用。
FMMT493QTA 是一款适应性强、性能优越的 NPN 晶体管。凭借其高集电极电流能力、低饱和压降和高频特性,这款器件可以满足多种电子产品的需求。当需要高效能和可靠性的电子元器件时,FMMT493QTA 不失为一种理想选择。无论是工业、通信还是消费类电子产品,它都提供了出色的解决方案。