FMMT493QTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FMMT493QTA

商品编码: BM0000745262
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 100V 1A NPN TO-236-3
库存 :
2586(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.24
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.24
--
200+
¥0.953
--
1500+
¥0.828
--
3000+
¥0.72
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

FMMT493QTA参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 250mA,10V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁150MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23

FMMT493QTA手册

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FMMT493QTA概述

FMMT493QTA 产品概述

一、产品简介

FMMT493QTA 是一款高性能 NPN 晶体管,采用先进的表面贴装工艺设计,封装规格为 SOT-23。该产品由DIODES(美台)制造,具有较低的饱和压降、高电流增益和宽广的工作温度范围,非常适合各种电子应用,包括信号放大、开关电路和高频应用。

二、基本参数

  1. 晶体管类型:NPN
  2. 最大集电极电流(Ic):1A
  3. 集射极击穿电压(Vce(br)):100V
  4. Vce饱和压降:在不同的 Ib、Ic 条件下,最大饱和压降为 600mV @ 100mA 和 1A,表现出优异的开关效率。
  5. 集电极截止电流:最大值为 100nA,确保器件在断态时表现出良好的隔离性能。
  6. DC电流增益(hFE):最小值为 100,在 250mA 和 10V 条件下的增益高效能使其在放大电路中表现极佳。
  7. 功率耗散(最大):500mW,适合高功率密度应用场合。
  8. 工作频率:频率跃迁可达 150MHz,适合高频开关和RF应用。
  9. 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(结温TJ),为任何环境下的广泛应用提供了可靠的保障。
  10. 安装类型:表面贴装型,方便焊接和集成。
  11. 封装类型:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3,设计紧凑,适合高密度电路布局。

三、应用场景

FMMT493QTA 晶体管主要应用于以下几个领域:

  1. 开关电路:由于其良好的开关特性和较高的集电极电流,该晶体管非常适合用于开关电源、继电器驱动等应用。

  2. 信号放大:以其最低 100 的增益,适合用于音频信号放大、视频信号处理等多种微弱信号的放大应用。

  3. RF 及高频应用:其高达 150MHz 的跃迁频率使其适用于一些无线电频率应用及高频开关电路。

  4. 线性应用:可在放大器电路中使用,为精确线性控制提供支持。

四、优越特性

  1. 高集电极电流:与同类器件相比,FMMT493QTA 可以处理更大的电流,最大集电极电流可达 1A,使其在各种需要强负载驱动的应用中更为适用。

  2. 低饱和压降:其饱和状态下的压降仅为 600mV(@ 1A),这意味着在大电流负载下,损失较小,提高了效率。

  3. 高增益特性:优秀的电流增益使其在更小的基极驱动电流下也能实现大的输出,降低了对控制电路的要求。

  4. 广泛的工作温度范围:-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围使得 FMMT493QTA 适用于需要在恶劣环境下工作的应用。

五、结束语

FMMT493QTA 是一款适应性强、性能优越的 NPN 晶体管。凭借其高集电极电流能力、低饱和压降和高频特性,这款器件可以满足多种电子产品的需求。当需要高效能和可靠性的电子元器件时,FMMT493QTA 不失为一种理想选择。无论是工业、通信还是消费类电子产品,它都提供了出色的解决方案。