安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 990 毫欧 @ 100mA,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 450mA(Ta) | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 21.5pF @ 16V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 350pC @ 4.5V | 漏源电压(Vdss) | 20V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 310mW(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
DMN2991UDA-7B 产品概述
DMN2991UDA-7B 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能 N 通道场效应晶体管(MOSFET),它采用表面贴装型设计(SMD),特定的封装类型为 X2-DFN0806-6。这款 MOSFET 具备出色的电气性能,适用于多种应用场景,包括开关电源、负载驱动和信号调节等。以下将详细介绍其各项重要参数及应用领域。
核心参数与特性:
导通电阻(Rds(on): 在 100mA 电流和 4.5V 栅极电压下,DMN2991UDA-7B 的导通电阻最大值为 990 毫欧。这一特性使得该 MOSFET 在工作时拥有较低的功率损耗,适合需要高效率和低热量生成的应用场合。
连续漏极电流(Id): 此器件可以承受最大 450mA 的连续漏极电流,满足大多数低功耗设备的需求。该特性使其在移动设备、家用电器和工业设备中得到了广泛应用。
漏源电压(Vdss): DMN2991UDA-7B 的最大漏源电压为 20V,确保其能够在一定的电压范围内安全稳定地工作。
栅极阈值电压(Vgs(th)): 在 250 µA 电流下,该 MOSFET 的最大栅极阈值电压为 1V,意味着在较低的栅极驱动电压下也能够实现高效的导通。
功率额定值: 该器件的最大功率输出为 310mW(Ta),适合用于低功耗电路设计。
工作温度范围: DMN2991UDA-7B 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作,使其能够在严苛环境条件下运行。
输入电容(Ciss): 在 16V 下,最大输入电容为 21.5pF,表明该 MOSFET 在高频应用中能够有效保持信号完整性。
栅极电荷(Qg): 在 4.5V 驱动下,最大栅极电荷为 350pC,为高速开关应用提供支持,有助于降低开关损耗。
应用领域: DMN2991UDA-7B 适用于各种电子电路的设计,特别是在以下领域表现尤为突出:
开关电源(SMPS): 由于其低导通电阻和较高的 开关频率能力,该 MOSFET 非常适合用于开关电源电路中,可以显著提高电源的整体效率。
负载驱动电路: 它的高电流处理能力和低功率损耗特点,适合用作电机驱动、灯光控制等负载驱动应用中的开关元件。
信号调节: 由于其快速开关特性,此 MOSFET 可以有效用于信号放大和调节应用,确保信号的清晰度和完整性。
总结: DMN2991UDA-7B 是一款高效、可靠、性能优秀的 N 通道场效应晶体管。凭借其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和多样化的应用领域,该 MOSFET 适用于现代电子设计中的众多场合。对于需要优化功率和效率的工程师和设计师而言,DMN2991UDA-7B 是一款值得考虑的理想选择。