MMBZ27VALQ-7-F
MMBZ27VALQ-7-F参数
| 类型 | 齐纳 | 单向通道 | 2 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 22V | 电压 - 击穿（最小值） | 25.65V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 40V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1A |
| 功率 - 峰值脉冲 | 40W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 汽车级 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
MMBZ27VALQ-7-F手册
MMBZ27VALQ-7-F概述
MMBZ27VALQ-7-F 产品概述
MMBZ27VALQ-7-F 是由知名半导体制造商 DIODES（美台）推出的一款齐纳二极管，专门设计用于瞬态电压抑制（TVS）应用。作为一款表面贴装型二极管，MMBZ27VALQ-7-F 以其优越的电压钳制特性和高可靠性，广泛应用于汽车电子设备及其他需要电源线路保护的领域。
基本参数
类型及通道配置: MMBZ27VALQ-7-F 是一种双向齐纳二极管，它能够在正向和反向两种方向上进行电流流动。这种双向特性使其非常适合用于交流电源的过压保护应用。
电压特性:
- 反向断态电压（Vr）: 该器件的逆向电压（Vr）在典型情况下为22V，这意味着在正常工作条件下，设备能够承受高达22V的逆向电压而不发生击穿。
- 击穿电压（VBR）: MMBZ27VALQ-7-F 的最小击穿电压为25.65V，这保证了在过电压情况下，器件能迅速进入导通状态，从而保护后端电路不受损坏。
- 钳位电压（VC）: 在不同的峰值脉冲电流（Ipp）下，最大钳位电压可达到40V，这对避免瞬态电压带来的损害至关重要。
电流和功率特性: MMBZ27VALQ-7-F 设计时额定的峰值脉冲电流为1A，峰值脉冲功率为40W，这使得其能够有效处理瞬态电流及能量，从而在电路中提供可靠的保护。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-65°C至150°C，这使得 MMBZ27VALQ-7-F 能够在高温和极端环境下稳定工作，非常适合汽车行业及恶劣环境下的应用。
安装类型及封装: MMBZ27VALQ-7-F 采用小型的 SOT-23 封装，这种表面贴装型设计不仅节省空间，还便于自动化生产，适合现代电子元器件小型化的发展趋势。
应用领域
MMBZ27VALQ-7-F 被广泛应用于汽车电子设备的瞬态电压保护，例如车辆的电源系统、传感器和控制单元等。它非常适合用于处理来自电源的瞬态电压冲击，这些冲击可能由如雷电、开关操作或电气故障等因素引起。通过采用 MMBZ27VALQ-7-F，设计人员可以确保系统的稳定性和安全性，延长整车电气系统的使用寿命。
此外，由于该器件的高工作温度范围，它也可用于工业应用和其他高温环境的电子设备。其高功率和电流处理能力也适用于消费电子产品中的电源保护，如移动设备和家用电器等。
总结
综上所述，MMBZ27VALQ-7-F 是一款性能卓越、设计合理的齐纳二极管，具备广泛的过压保护能力和良好的环境适应性。其优越的电气特性和高可靠性使其成为汽车电子及其他应用场景中的理想选择。在需要保障电路安全、提升系统可靠性的情况下，选择 MMBZ27VALQ-7-F 将为设计提供有效的解决方案。