注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMP3068LVT-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TSOT26
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.25W 30V 2.8A 1个P沟道 TSOT-23-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.654按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.654
--
200+
￥0.451
--
1500+
￥0.41
--
3000+
￥0.383
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3068LVT-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 708pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMP3068LVT-7手册
无数据
DMP3068LVT-7概述
DMP3068LVT-7 产品概述
DMP3068LVT-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为中低功率应用而设计，适用于各种需要高可靠性和高效能的电子电路。其集成了先进的半导体技术，提供高达 30V 的漏源电压（Vdss）和 2.8A 的连续漏极电流（Id），使其成为电源管理、开关电源及负载驱动等应用的理想选择。
基本参数与特性
DMP3068LVT-7 采用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）技术，具有以下重要参数：
- 漏源电压（Vdss）：最高可承受 30V，这使得该 MOSFET 适用于多种中低电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，DMP3068LVT-7 可支持 2.8A 的持续电流输出，适合高负载条件下的工作。
- 驱动电压：在最大 Rds On 条件下，驱动电压为 2.5V，最小为 10V，提供灵活的驱动选项，便于与数字电路兼容。
- 导通电阻（Rds On）：最大值为 75 毫欧，在 4.2A 电流和 10V 驱动电压下进行测量，具有较低的导通损耗，有效提高电路效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 1.3V，在 250µA 流量下测得，显示出该 MOSFET 在低电压驱动下的优越性能。
- 栅极电荷（Qg）：在 4.5V 驱动电压下，栅极电荷最大为 7.3nC，保证快速开关响应，适用于高频应用场景。
应用领域
DMP3068LVT-7 的特性使其非常适合以下应用：
- 电源管理：可用于开关电源、电池管理系统（BMS）以及其他电源调节应用，确保高效能和低损耗。
- 负载开关：可在消费电子、家电等设备中作为负载开关，提升整体的电源转换效率。
- 电动机驱动：适合用于电动机驱动电路，能够高效控制电机的开关状态，降低电流损耗。
- 功率放大器：可用作 RF 放大器和其他高频电路中的开关元件，保证良好的增益特性和线性度。
工作环境与封装
DMP3068LVT-7 具备卓越的工作温度范围，能够在 -55°C 至 150°C 的极端环境条件下可靠工作，适合要求苛刻的工业和汽车应用。
该器件采用 TSOT-26 表面贴装封装，适合现代电子设备的迷你atur化设计。其紧凑的封装不仅有助于节省板级空间，同时也提高了散热性能。TSOT-26 封装确保了良好的焊接性和耐用性，适合高可靠性的生产要求。
结论
总体而言，DMP3068LVT-7 是一款具有杰出性能的 P 通道 MOSFET，凭借其优越的电气特性和可靠的工作性能，适合广泛的电子应用领域。这款产品不仅能够满足现代电力电子技术对高效能的要求，还能提供优秀的热管理能力，为设计工程师在开发过程中提供极大的便利和灵活性。随着对节能和高效率电子产品需求的不断提高，DMP3068LVT-7 将成为您的理想选择。