BSS306NH6327XTSA1
BSS306NH6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 11µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 275pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS306NH6327XTSA1手册
BSS306NH6327XTSA1概述
BSS306NH6327XTSA1 产品概述
概述
BSS306NH6327XTSA1 是 Infineon Technologies 旗下的一款高性能小信号 N 通道 MOSFET，采用 SOT-23-3 封装。这款 MOSFET 设计用于满足汽车及工业应用的高质量要求，并提供极佳的耐用性和可靠性。其广泛的应用场景包括 LED 照明、先进驾驶辅助系统（ADAS）、车身控制单元、开关模式电源（SMPS）以及电机控制等。
基本参数
BSS306NH6327XTSA1 的漏源电压（Vdss）为 30V，适应多种工作环境。它的最大连续漏极电流（Id）为 2.3A，在 25°C 的工作温度下表现出色。驱动电压方面，最大 Rds On 在 4.5V 和 10V 条件下有良好表现，使其在低电压驱动时同样具有低导通电阻（Rds On）。在 10V 时，导通电阻的最大值为 57 毫欧，确保低电能损耗，提高整体电路效率。
电气特性
BSS306NH6327XTSA1 的阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 2V（在 11µA 测试条件下），这意味着它在非常低的驱动电压下即可实现导通。这一特性使得该 MOSFET 特别适合于低功耗应用。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为 1.5nC（在 5V 条件下），使得电路在高频开关操作下更为高效。
输入电容（Ciss）的最大值为 275pF（在 15V 条件下），有助于改善开关速度，以满足快速切换需求。这些电气特性相结合，使 BSS306NH6327XTSA1 在各种高频应用中表现卓越。
热性能与功耗
BSS306NH6327XTSA1 的功率耗散最大值为 500mW，适应 -55°C 到 150°C 的工作温度范围。这种宽广的温度范围为器件在严酷环境下的应用提供了保障，特别是在汽车和工业控制系统中。其高功率处理能力与低导通损耗相结合，确保在高负载条件下的可靠性。
封装与安装
采用 SOT-23-3 封装，BSS306NH6327XTSA1 的体积小、重量轻，适合于空间受限的应用，同时也简化了在现代电路板上的设计。表面贴装型的安装方式使得其在自动化生产中更为便捷，提高了生产效率。
应用领域
BSS306NH6327XTSA1 可广泛应用于多种领域，特别适合于汽车电子和工业控制系统。其中，它在 LED 照明、车身控制单元以及开关电源等领域具有重要作用。对于那些需要高可靠性、低功耗和快速响应的电子设备，BSS306NH6327XTSA1 是一个理想的解决方案。
总结
综上所述，BSS306NH6327XTSA1 是一款高性能的小信号 N 通道 MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。无论是在汽车电子还是工业自动化领域，这款 MOSFET 都能满足用户的各种需求。其优越的性能、可靠性和适用性使其成为现代电子设备的重要组成部分，为实现高效、安全的电子控制系统提供了强大的支持。选择 BSS306NH6327XTSA1，意味着选择了可靠性与技术的完美结合。