BSS316NH6327XTSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS316NH6327XTSA1

商品编码: BM0000744693
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.004g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.4A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2636(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.463
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.463
--
200+
¥0.299
--
1500+
¥0.26
--
3000+
¥0.231
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS316NH6327XTSA1参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 3.7µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).6nC @ 5V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)94pF @ 15V
功率耗散(最大值)500mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

BSS316NH6327XTSA1手册

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BSS316NH6327XTSA1概述

产品概述:BSS316NH6327XTSA1

BSS316NH6327XTSA1是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由全球知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。这款MOSFET专为高效能和宽应用领域而设计,提供强大的电流承载能力和优良的开关特性,适合各种电子设备的功率管理和开关控制应用。

主要特性

  1. 电气特性:

    • 漏源电压(Vdss): 能承受最高30V的漏源电压,适合大多数低至中压应用。
    • 连续漏极电流(Id): 在25°C环境下,该器件的连续漏极电流可达1.4A,确保在高负载条件下的稳定性。
    • 导通电阻(Rds(on)): 在10V的栅极驱动电压下,最大导通电阻为160毫欧,极大地降低了功耗,提高了效率。
  2. 驱动电压:

    • 本器件支持在4.5V和10V的驱动电压下工作,适应不同电源条件的应用,兼容多种控制电路。
  3. 栅极阈值电压(Vgs(th)):

    • 最大阈值电压为2V,表明该MOSFET在较低的栅电压下即可启用,适合低功耗电路设计。
  4. 输入与输出特性:

    • 在15V下,输入电容(Ciss)最大为94pF,栅极电荷(Qg)最大为0.6nC(在5V条件下),这两项特性使得该器件能够支持快速开关操作,适合高频应用。
  5. 功率耗散:

    • 最大功率耗散达到500mW,使得在适当散热条件下可满足多种应用需求。
  6. 宽温度范围:

    • 该器件的工作温度范围达到-55°C至150°C,确保在极端环境下可靠工作,适用于汽车、工业控制等应用领域。
  7. 封装类型:

    • 采用SOT-23-3封装,具备小型化和轻量化的优点,适合空间有限的电子设备,并支持表面贴装(SMD),便于自动化生产。

应用领域

BSS316NH6327XTSA1由于其优越的性能和适用范围广泛,可以被广泛应用于以下几个领域:

  1. 电源管理:

    • 用于DC-DC转换器、线性调节器等电源管理系统中,实现电压转换及调节。
  2. 开关电路:

    • 该MOSFET可以作为高效开关元件,广泛应用于电机驱动、继电器驱动以及灯具控制等场合。
  3. 汽车电子:

    • 能在高温和恶劣环境下稳定工作,使其适合用于汽车电子控制模块、照明系统等环境较苛刻的行业。
  4. 消费电子:

    • 在便携式设备、智能家居产品等消费电子中,凭借其功率小和占用空间小的特点,能够有效提升设备性能。

结论

总的来说,BSS316NH6327XTSA1是一款性能优越、应用广泛的N通道MOSFET,凭借其高效的导通特性和广泛的工作条件,已成为现代电子设计的理想选择。无论是在工业,汽车,还是消费电子领域,该MOSFET都能够为设计工程师提供可靠的解决方案,并推动产品的整体性能提升。通过其优质的电气特性和品牌信誉,BSS316NH6327XTSA1无疑是值得推荐的高性能电子元件。