FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 160 毫欧 @ 1.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 3.7µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .6nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 94pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
BSS316NH6327XTSA1是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由全球知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。这款MOSFET专为高效能和宽应用领域而设计,提供强大的电流承载能力和优良的开关特性,适合各种电子设备的功率管理和开关控制应用。
电气特性:
驱动电压:
栅极阈值电压(Vgs(th)):
输入与输出特性:
功率耗散:
宽温度范围:
封装类型:
BSS316NH6327XTSA1由于其优越的性能和适用范围广泛,可以被广泛应用于以下几个领域:
电源管理:
开关电路:
汽车电子:
消费电子:
总的来说,BSS316NH6327XTSA1是一款性能优越、应用广泛的N通道MOSFET,凭借其高效的导通特性和广泛的工作条件,已成为现代电子设计的理想选择。无论是在工业,汽车,还是消费电子领域,该MOSFET都能够为设计工程师提供可靠的解决方案,并推动产品的整体性能提升。通过其优质的电气特性和品牌信誉,BSS316NH6327XTSA1无疑是值得推荐的高性能电子元件。