IPP055N08NF2S 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPP055N08NF2S

商品编码: BM0000744487
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO220
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
228(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
8.11
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.11
--
100+
¥7.06
--
1250+
¥6.42
--
2500+
¥6.17
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IPP055N08NF2S参数

功率(Pd)107W反向传输电容(Crss@Vds)20pF@40V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5mΩ@10V,60A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@10V
漏源电压(Vdss)80V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.5nF@40V连续漏极电流(Id)99A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@55uA

IPP055N08NF2S手册

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IPP055N08NF2S概述

产品概述:IPP055N08NF2S

概述

IPP055N08NF2S 是一款由德国英飞凌(Infineon)公司生产的绝缘栅场效应管(MOSFET)。该器件采用了现代半导体制造工艺,具有优异的性能和可靠性。其封装形式为 TO-220,这使得它适合于多种应用场景,包括电源管理、工业控制、和电动汽车等领域。IPP055N08NF2S 在高频切换及高功率应用中表现出色。

关键特性

  • 最大漏极源电压 (V_DS): 80V
  • 最大漏极电流 (I_D): 55A (在适当的散热条件下)
  • R_DS(on): 0.055Ω(在V_GS = 10V时), 使其在导通状态下损耗较低,提升能效。
  • TO-220封装: 该封装设计易于散热,适合在高功率应用下使用。

功能与应用

IPP055N08NF2S MOSFET 的特点使其在多个领域得到广泛应用,主要包括:

  1. 电源开关: 在开关电源中,MOSFET 用作主要的开关元件,通过控制导通和关断来调节输出电压,从而实现高效的电能转换。

  2. 电机驱动: 在电动机控制中,MOSFET 可以用于 H 桥电路,实现电机的正反转控制及速度调节。

  3. 高频应用: 由于其低 R_DS(on) 特性,IPP055N08NF2S 能够在高频开关中有效降低开关损耗,适合用于开关频率较高的电路设计。

  4. 功率管理: 在各种功率管理和转换应用中,该 MOSFET 提供必要的开关性能和良好的热性能,确保系统稳定运行。

性能参数

  • 击穿电压 (BV_DS): 设计上能承受高达 80V 的电压,提供额外的安全裕度,满足各种电气环境的需求。
  • 输入电容 (C_iss): 通常较低,配合低导通电阻可以实现快开快关的性能。
  • 热特性: TO-220 封装性能良好,能够有效散热,适合高功率环境。

优势

  • 高效能: 由于具备低的 R_DS(on) 和高的抗压能力,IPP055N08NF2S 在实际应用中能降低能量损耗,提高整体系统的能效。
  • 可靠性: 经过严格的测试和验证,确保在高负载及极端工作条件下保持稳定性能。
  • 易于集成: TO-220 封装方便散热,有利于多种 PCB 布局设计,可与其他组件良好协同工作。

总结

IPP055N08NF2S 是一款性能优越、可靠性高的 MOSFET,适合于各种工业和商业电源应用。无论是电源管理、电动机驱动,还是高频开关,IPP055N08NF2S 都能够提供强有力的支持。凭借其先进的电气特性和热管理能力,IPP055N08NF2S 预计将在未来的电力电子设备中扮演重要角色。无论开发新产品还是升级现有设备,这款 MOSFET 都是值得信赖的选择。