J113 产品实物图片
J113 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

J113

商品编码: BM0000744475
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
TO-92-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.214g
描述 : 
结型场效应管(JFET) J113 TO-92-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.02
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.02
--
50+
¥0.781
--
1000+
¥0.651
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

J113参数

FET 类型N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)35V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)2mA @ 15V不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)500mV @ 1µA
电阻 - RDS(On)100 Ohms功率 - 最大值625mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)供应商器件封装TO-92-3

J113手册

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J113概述

J113 结型场效应管 (JFET) 产品概述

概述

J113 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 通道结型场效应管(JFET),其设计旨在满足现代电子设备中对高性能和高可靠性的需求。J113 具有广泛的应用场景,尤其是在低噪声放大器、输入级放大电路和OLED显示驱动等领域。凭借其优越的参数特性及高温操作能力,J113 显示出其在众多电子应用中的极大潜力。

主要参数

J113 的关键参数包括:

  • FET 类型:N 通道,使其在负载驱动和信号传输方面具有良好特性。
  • 击穿电压 (V(BR)GSS):最大为 35V,为器件在高电压条件下的稳定性提供保障。
  • 漏极电流 (Idss):在 Vgs=0 时,Idss 为 2mA @ 15V,表示其在不同条件下的漏电流能力。
  • 截止电压 (VGS off):在 1µA 流量时达到 500mV,展示了其在非导通状态下的良好性能。
  • 导通电阻 (RDS(On)):100 Ohms,确保了在导通状态下较低的能量损耗。
  • 最大功率:可承受高达 625mW 的功率,适应多种电源条件。
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C (TJ),广泛的温度规格使其能够在极端环境下稳定工作。
  • 封装类型:TO-92-3,这种通孔封装适合大多数传统电子元器件布局,为设计者提供了灵活性。

应用领域

J113 的高性能和多样化的参数使其适合多种应用场景,包括但不限于:

  1. 低噪声放大器:J113 适用于音频设备、射频放大器等领域,能够有效提升信号质量并降低噪声水平。

  2. 信号开关:该器件可以用作开关元件,在数字电路与模拟电路中实现开关功能,保证信号传输的完整性。

  3. 电流源:在很多电子电路中,JFET 能作为电流源,以确保电路稳定运行并调整电流输出。

  4. 传感器与读出电路:由于其低输入电流和高输入阻抗特性,J113 可以用于各种传感器和位于输入阶段的读出电路。

  5. 音频装置:在音频系统中,J113 可处理信号放大和调节,提升音频的分离度和清晰度。

设计特点

在设计中,J113 具有几个重要的特点:

  • 高温稳定性:其广泛的工作温度范围和稳健的性能使其适用于各种恶劣环境条件。
  • 良好的线性度:JFET 的线性工作特性使其在信号处理时能够保持信号的完整性。
  • 易于集成:作为通孔安装元件,其在传统电路板设计中非常灵活,简化了制造和组装过程。

结论

总的来说,J113 结型场效应管是一个具有极高性能和可靠性的电子元器件,适合多种应用场合。从音频设备到各种传感器应用,其都能发挥出色的效果。凭借其优秀的电气特性和健壮的封装设计,J113 为电子工程师提供了一个可靠的解决方案,能够满足高级设计需求。无论是在新产品研发,还是在现有产品的性能优化中,J113 都是值得考虑的优选元件。