FET 类型 | N 通道 | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 35V |
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 2mA @ 15V | 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 500mV @ 1µA |
电阻 - RDS(On) | 100 Ohms | 功率 - 最大值 | 625mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
J113 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 通道结型场效应管(JFET),其设计旨在满足现代电子设备中对高性能和高可靠性的需求。J113 具有广泛的应用场景,尤其是在低噪声放大器、输入级放大电路和OLED显示驱动等领域。凭借其优越的参数特性及高温操作能力,J113 显示出其在众多电子应用中的极大潜力。
J113 的关键参数包括:
J113 的高性能和多样化的参数使其适合多种应用场景,包括但不限于:
低噪声放大器:J113 适用于音频设备、射频放大器等领域,能够有效提升信号质量并降低噪声水平。
信号开关:该器件可以用作开关元件,在数字电路与模拟电路中实现开关功能,保证信号传输的完整性。
电流源:在很多电子电路中,JFET 能作为电流源,以确保电路稳定运行并调整电流输出。
传感器与读出电路:由于其低输入电流和高输入阻抗特性,J113 可以用于各种传感器和位于输入阶段的读出电路。
音频装置:在音频系统中,J113 可处理信号放大和调节,提升音频的分离度和清晰度。
在设计中,J113 具有几个重要的特点:
总的来说,J113 结型场效应管是一个具有极高性能和可靠性的电子元器件,适合多种应用场合。从音频设备到各种传感器应用,其都能发挥出色的效果。凭借其优秀的电气特性和健壮的封装设计,J113 为电子工程师提供了一个可靠的解决方案,能够满足高级设计需求。无论是在新产品研发,还是在现有产品的性能优化中,J113 都是值得考虑的优选元件。