DMN61D9UW-13
DMN61D9UW-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 340mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .4nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 28.5pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN61D9UW-13手册
DMN61D9UW-13概述
产品概述：DMN61D9UW-13 N沟道MOSFET
一、基本信息
DMN61D9UW-13是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计旨在满足不同电子应用的需求。该元器件由全球知名的半导体制造商DIODES（美台）生产，具有优异的性能和可靠性，适用于多种电力管理和开关应用。
二、规格参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA（工作温度范围内）
- 驱动电压：最大 Rds On，最小 Rds On为1.8V 和 5V
- 导通电阻：在不同的漏极电流（Id）与栅极电压（Vgs）下，最大值为2 欧姆 @ 50mA，5V
- 阈值电压 (Vgs(th))：在250µA时最大值为1V
- 栅极电荷 (Qg)：在4.5V时最大值为0.4nC
- Vgs（最大值）：±20V
- 输入电容 (Ciss)：在30V时最大值为28.5pF
- 功率耗散（最大值）：320mW（在25°C时）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（见TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-323
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
三、特性与优点
高效能：DMN61D9UW-13的漏源电压为60V，使其适合用于需要高电压操作的电路，如转换器和DC-DC开关电源。其340mA的最大电流能力使其能够处理多种应用场合。
低导通电阻：该MOSFET在50mA时的最大导通电阻为2欧姆，这一特性保证了在开关状态下的较低功耗，提高了整体能效，适合用于效率要求较高的电源管理系统。
广泛的工作温度范围：其工作温度范围从-55°C到150°C，适合于极端环境下的应用，如工业设备和汽车电子模块，保证了在不同条件下的稳定运行。
极小的驱动电压：当栅极电压为1.8V时，该MOSFET能够达到最小的导通状态，这降低了驱动电路的复杂度，并适配低电压逻辑控制器。
小型封装：采用SOT-323封装，使其在电路板上占据更少的空间，满足对小型化、轻量化电子产品的需求，广泛应用于消费电子产品及便携式设备。
四、应用场景
电源管理：DMN61D9UW-13可以用于各种电源管理电路，包括DC-DC转换器、LED驱动电源和电池充电器，帮助实现高效的电能转换和利用。
开关电路：适合在各种通过FET进行开关控制的电子装置内使用，如电动机驱动、负载开关和保护电路等。
信号切换：该元器件能够用于信号路径切换、音频信号处理和无线通信设备中，确保快速、可靠的信号切换。
汽车电子：适合用于汽车电子控制模块，如智能照明、动力管理系统和传统汽油或电动汽车中的多种控制电路。
五、结论
DMN61D9UW-13 N沟道MOSFET凭借其优越的电气性能、广泛的应用范围以及可靠的工作特性，成为电子设计工程师首选的元器件之一。从电源管理到信号切换，其适用性广泛，表明了该元器件在现代电子产品中不可或缺的角色。选择DMN61D9UW-13，将为您的下一个设计提供卓越的质量和性能保证。