DMN61D9UWQ-13
DMN61D9UWQ-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .4nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 28.5pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 440mW (Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN61D9UWQ-13手册
DMN61D9UWQ-13概述
DMN61D9UWQ-13 产品概述
产品简介
DMN61D9UWQ-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 SOT-323 封装，专为低功耗电子设备而设计。该器件的主要性能参数包括漏源电压 (Vdss) 高达 60V，持续漏极电流（Id）可达到 400mA，适合于多种应用场景，如电源管理、开关电路、LED驱动及其他低电压应用。
技术参数
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，使其在各种中低压应用中都能可靠工作。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时，该器件的连续漏极电流可达到 400mA，结合其低 Rds(on) 特性，有助于提高系统效率并降低功耗。
驱动电压: DMN61D9UWQ-13 在最小 Rds(on) 下的驱动电压为 1.8V 到 5V，使其能够在多个工作状态下保持良好的导通性能，降低功耗。
导通电阻 (Rds(on)): 该 MOSFET 在 50mA 和 5V 时的最大导通电阻为 2Ω，相对较低的导通电阻提供了优异的导通性能，减少了功耗与热量生成。
门阈电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的不同 Id 和 Vgs 状态下，最大门阈电压为 1V，确保快速开关操作和良好的控制特性。
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 时，DMN61D9UWQ-13 的最大栅极电荷为 0.4nC，较小的栅极电荷值使其在开关频率较高的应用中表现优越。
输入电容 (Ciss): 在 30V 的不同 Vds 状态下，输入电容的最大值为 28.5pF，这有助于提高开关速度并降低驱动功耗。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 440mW (Ta)，适合在较高功率条件下使用，还能有效控制温度升高。
工作温度范围: DMN61D9UWQ-13 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C（TJ），使其能够适应严苛的环境及多种应用场景。
安装类型与封装: 该 MOSFET 采用表面贴装型封装，具体为 SOT-323，适合自动化组装及空间受限的设计需求。
应用领域
DMN61D9UWQ-13 的优秀性能使其适用于许多电子应用，包括但不限于：
- 电源开关: 适用于 DC-DC 转换器、开关电源供电广泛的场合。
- LED 驱动: 可用于驱动 LED 效果灯、背光及显示屏等。
- 信号切换: 在通信设备中可作为信号开关，负责切换不同信号通路。
- 电池管理: 应用于电池供电设备，提供高效的开关控制。
总结
DMN61D9UWQ-13 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET，具有优良的电气性能和宽广的工作温度范围，适合多种高效能电子应用。凭借其低功耗、高可靠性及灵活的设计特性，DMN61D9UWQ-13 是寻求高效、可靠且经济解决方案的设计师们的理想选择。