DMN62D0UWQ-13
DMN62D0UWQ-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 340mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 500pC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 32pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN62D0UWQ-13手册
DMN62D0UWQ-13概述
产品概述：DMN62D0UWQ-13 N 通道 MOSFET
DMN62D0UWQ-13 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，专为各类电子应用设计，能够在高效能的同时满足紧凑型电路设计需求。本产品由 DIODES（美台）公司制造，采用最新工艺技术，确保其在不同工作条件下的可靠性和稳定性。该 MOSFET 的封装类型为 SOT-323，具有良好的热性能和较小的物理占用空间，适合于表面贴装(SMT)应用。
关键参数
电气特性：
- 漏源电压 (Vds)：该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，适合于多种工作电源需求，特别是在需要稍高电压和低电流的应用场景。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的温度下，DMN62D0UWQ-13 可承载最大连续漏极电流为 340mA。这使得设备在常规使用中保持高效操作，适合一般的低功耗电路设计。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 Vgs = 4.5V 时最大导通电阻为 2Ω，针对较低得电流(约 100mA)进行优化，确保电流损耗最低化，提高系统能效。
门极电压 (Vgs)：该 MOSFET 的栅源电压 (Vgs) 最大为 ±20V，使得其兼容多种逻辑电平，并能在不同的驱动条件下正常工作。驱动电压的灵活性也使得其在数模转换和开关电源应用中具有广阔的适用潜力。
温度范围：DMN62D0UWQ-13 具备广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境条件下也能稳定运行，适合于汽车、工业控制等严苛的工作场合。
输入电容 (Ciss)：在 30V 的工作状态下，输入电容的最大值为 32pF，这一特性降低了开关损耗，提升了开关频率的响应能力，尤其适合于高频开关应用。
功率耗散：其最大功率耗散能力为 320mW (在 25°C 典型条件下)，确保器件在不超出发热负荷的情况下能够安全运行。
应用领域
DMN62D0UWQ-13 由于其优秀的电气特性和广泛的工作条件适应性，适合用于以下应用场景：
- 开关电源：能够高效控制电源开关，提供稳定的输出电压并降低能耗。
- LED 驱动电路：用于自动调节 LED 照明的电流，在追求节能和长寿命的照明设备中应用广泛。
- 电机控制：作为电机驱动电路的核心元件，控制电机启动、速度和停止。
- 汽车电子：支持汽车中各种电子控制单元的开关控制，满足汽车行业所需的高可靠性。
- 数字电路：在逻辑电路中作为开关元件使用，满足较低电平信号的处理需求。
封装特性
DMN62D0UWQ-13 采用 SOT-323 封装，这种封装方法使得器件具有较小的占用面积，便于在高密度的电路设计中使用。同时，该封装支持 SMT 组装工艺，实现自动化的高效生产，提高制造效率和产品一致性。
结论
DMN62D0UWQ-13 N 通道 MOSFET 以其优越的性能、出色的电气特性及宽广的应用领域，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一，无论是追求优秀性能的工程师还是注重成本效益的产品开发商，在选择合适的 MOSFET 时，DMN62D0UWQ-13 都是一个值得考虑的理想选择。