类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 7V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 7.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 14.4V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 24A |
功率 - 峰值脉冲 | 270W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 150pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0402(1006 公制) | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
产品概述:D7V0H1U2LP-7B 瞬态抑制二极管
1. 基本信息
D7V0H1U2LP-7B 是一款先进的瞬态抑制二极管(TVS二极管),由美台品牌 DIODES(德州仪器)制造。它采用0402(1006公制)表面贴装型封装,适合现代电子产品的小型化设计需求。该产品设计用于保护敏感电子元器件免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压干扰的影响,以确保系统的长期可靠性和稳定性。
2. 关键参数
3. 应用场景
D7V0H1U2LP-7B 广泛应用于各种需要瞬态过电压保护的电子器件。尤其是在消费电子、通信设备、电源管理和汽车应用中,该元器件显得尤为重要。它能够有效防止因电流瞬变造成的损坏,从而提高设备的可靠性。此外,该元器件的小型化设计使其能够轻松集成于各种紧凑的电路板中。
4. 工作原理
瞬态抑制二极管的工作原理基于齐纳效应和雪崩效应。当电压超过击穿电压时,二极管会迅速导通,限制电压上升,将电流引导到地,从而保护下游设备。这种高效的瞬态响应能力使得 D7V0H1U2LP-7B 成为抗电涌和噪声的理想保护解决方案。
5. 性能特点
6. 总结
D7V0H1U2LP-7B 瞬态抑制二极管以其卓越的电压抑制能力和高峰值电流处理能力,成为电子系统中必不可少的保护元件。在现代电子设备的小型化与高性能需求日益增长的背景下,该产品因其优良的性能表现和广泛的应用潜力而备受青睐。选择 D7V0H1U2LP-7B,能够有效提升产品的抗干扰能力和长久可靠性,为用户提供更为安全稳定的电路保护解决方案。