D7V0H1U2LP-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

D7V0H1U2LP-7B

商品编码: BM0000744450
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
瞬态抑制二极管
库存 :
9610(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
0.406
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.406
--
500+
¥0.27
--
5000+
¥0.235
--
10000+
¥0.21
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

D7V0H1U2LP-7B参数

类型齐纳单向通道1
电压 - 反向断态(典型值)7V(最大)电压 - 击穿(最小值)7.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)14.4V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)24A
功率 - 峰值脉冲270W电源线路保护
应用通用不同频率时电容150pF @ 1MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳0402(1006 公制)供应商器件封装X1-DFN1006-2

D7V0H1U2LP-7B手册

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D7V0H1U2LP-7B概述

产品概述:D7V0H1U2LP-7B 瞬态抑制二极管

1. 基本信息

D7V0H1U2LP-7B 是一款先进的瞬态抑制二极管(TVS二极管),由美台品牌 DIODES(德州仪器)制造。它采用0402(1006公制)表面贴装型封装,适合现代电子产品的小型化设计需求。该产品设计用于保护敏感电子元器件免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压干扰的影响,以确保系统的长期可靠性和稳定性。

2. 关键参数

  • 类型:齐纳二极管
  • 单向通道:1个
  • 电压 - 反向断态(典型值):7V(最大值)
  • 电压 - 击穿(最小值):7.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):14.4V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):24A
  • 功率 - 峰值脉冲:270W
  • 电源线路保护:无
  • 应用领域:通用
  • 不同频率时电容:150pF @ 1MHz
  • 工作温度范围:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:X1-DFN1006-2

3. 应用场景

D7V0H1U2LP-7B 广泛应用于各种需要瞬态过电压保护的电子器件。尤其是在消费电子、通信设备、电源管理和汽车应用中,该元器件显得尤为重要。它能够有效防止因电流瞬变造成的损坏,从而提高设备的可靠性。此外,该元器件的小型化设计使其能够轻松集成于各种紧凑的电路板中。

4. 工作原理

瞬态抑制二极管的工作原理基于齐纳效应和雪崩效应。当电压超过击穿电压时,二极管会迅速导通,限制电压上升,将电流引导到地,从而保护下游设备。这种高效的瞬态响应能力使得 D7V0H1U2LP-7B 成为抗电涌和噪声的理想保护解决方案。

5. 性能特点

  • 高峰值电流能力:D7V0H1U2LP-7B 的峰值脉冲电流可达到 24A,峰值功率达到 270W,足以应对许多瞬态电压事件。
  • 快速响应时间:对于过电压事件,该二极管具有快速的响应性能,能够在微秒级别内保护电路。
  • 宽工作温度范围:从 -65°C 到 150°C 的工作温度范围使其适用于各种环境下的应用,无论是低温的北极还是高温的沙漠环境。
  • 低电容特性:150pF @ 1MHz 的电容特性使其适合高频应用,减少大多数信号完整性问题。

6. 总结

D7V0H1U2LP-7B 瞬态抑制二极管以其卓越的电压抑制能力和高峰值电流处理能力,成为电子系统中必不可少的保护元件。在现代电子设备的小型化与高性能需求日益增长的背景下,该产品因其优良的性能表现和广泛的应用潜力而备受青睐。选择 D7V0H1U2LP-7B,能够有效提升产品的抗干扰能力和长久可靠性,为用户提供更为安全稳定的电路保护解决方案。