DMG9933USD-13
DMG9933USD-13参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A | FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 608.4pF @ 6V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.5nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.15W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
DMG9933USD-13手册
DMG9933USD-13概述
产品概述：DMG9933USD-13 P沟道场效应管
一、基本信息
DMG9933USD-13 是一款由美台公司（DIODES）制造的高性能P沟道场效应管（MOSFET），采用表面贴装（SMD）封装，采用 SO-8 封装形式。此产品适用于多种应用，特别是在低功率和小型电路中表现出色。
二、主要参数
安装类型: DMG9933USD-13 采用表面贴装型设计，非常适合自动化生产线的贴片工艺，使其在现代电子设备中得到广泛应用。
最大连续漏极电流（Id): 在25°C环境温度下，该产品的最大连续漏极电流为4.6A，足以支持中等负载的驱动需求。
漏源电压（Vdss): 该器件具有20V的漏源电压能力，使其在低压应用中非常安全可靠。
导通电阻: 在4.8A和4.5V的条件下，导通电阻的最大值为75毫欧，这表明该元器件在启用时具有较低的功率损耗，从而提高整体能效。
输入电容 (Ciss): 在6V工作状态下，输入电容的最大值为608.4pF，这使得其在高频率应用中具有良好的驱动特性。
栅极电荷 (Qg): 在4.5V的条件下，栅极电荷最大为6.5nC，这对于高频开关及其快速响应特性是非常重要的。
阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的最大阈值电压为1.1V（在250µA测试条件下），使其对于低电压控制信号的适应性更强。
工作温度范围: DMG9933USD-13能够在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作，使其适合各种苛刻的环境条件。
功率 - 最大值: 最高功率负载可达1.15W，适合于小型电源和驱动电路。
三、功能与应用
DMG9933USD-13 的双P沟道设计带来了灵活的电路配置选项。逻辑电平门的特性使得该MOSFET能够在低电平信号下正常工作，适合与微控制器及其他数字电路相结合，提供开关控制。
应用领域
电源管理: 该MOSFET常用于电源开关和电流控制，广泛应用于DC-DC转换器和负载开关。
信号开关: 在音频、视频和数据信号传输中，DMG9933USD-13 可作为高频率开关器件，进行快速切换。
驱动电路: 由于其快速的开关特性和较低的导通电阻，DMG9933USD-13 适用于电机驱动、灯光控制以及其他各种负载的驱动电路。
便携式设备: 结合其小型化的结构和低功耗的特点，该MOSFET 常常用于移动设备和便携式电子产品。
汽车电子: 高温工作特性使其在汽车电子领域中，可以应用于电池管理系统、灯光控制等模块。
四、总结
DMG9933USD-13 是一款功能强大、性能优良的P沟道场效应管，凭借其低导通电阻和出色的热稳定性，使其在各种电子设计中成为理想的选择。其广泛的工作范围与多样的应用场景，确保了它的灵活性和可靠性，是现代电子产品领域中一款必不可少的半导体器件。无论是在电源管理、信号开关还是电机驱动的应用中，DMG9933USD-13 都能提供卓越的性能与稳定性，是提升高效能系统设计的可靠助手。