二极管配置 | 1 对共阴极 | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 15A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 15A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 4.5µA @ 100V | 工作温度 - 结 | 175°C(最大) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
MBR30H100CTG是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能肖特基二极管,设计用于满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。此器件由一对共阴极的配置组成,专为处理高电压和电流应用而优化,能够提供出色的整流特性和快速响应时间,广泛应用于电源管理、逆变器、直流-直流转换器和其他要求高效整流的领域。
MBR30H100CTG采用1对共阴极的二极管配置,这种配置能够有效管理电流的流动,减少二极管在工作过程中产生的功耗。作为肖特基二极管,其特有的低正向压降(Vf)特性使其能够在高电流环境下大幅提高能效。
此二极管的最大反向电压(Vr)为100V,使得它可以安全地在高电压应用中工作。此外,它的平均整流电流(Io)可达到15A,能够支持多种高功率需求的应用。正向压降(Vf)在15A时为800mV,这意味着在全负载情况下,二极管的能量损耗非常小,从而增加整体能效。
在工作条件下,MBR30H100CTG的反向泄漏电流极低,仅为4.5µA @ 100V。这一特性有助于提升设备的稳定性与可靠性,尤其是在高温环境中。其最大结温为175°C,允许其在恶劣的工作环境下也能正常工作,适合工业自动化及电源系统应用。
MBR30H100CTG能够在快速恢复(≤500ns)时运作,尤其是在工作电流大于200mA的情况下,这一特性使得该二极管在重复性的开关过程中能保持高效能,降低功耗,并减小电路中的EMI(电磁干扰)问题。
该二极管采用通孔安装类型,封装为TO-220-3。这种封装使得其不仅便于散热,同时也能在PCB(印刷电路板)上快速、方便地安装。TO-220的设计还使得该器件在电源设计中具有广泛的适用性,比如可用于换能器或者各种稳压电源模块中。
MBR30H100CTG因其优异的电气特性和坚固的封装设计,广泛应用于以下几个领域:
MBR30H100CTG凭借其高电流、高电压特性、低正向压降、极低的反向泄漏以及快速的动态响应,成为各类电力电子应用中理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化还是电动汽车等领域,这款肖特基二极管都能有效提升设备的性能与可靠性。选择MBR30H100CTG,将为你的设计带来更高的能效和更优的稳定性。