PMGD780SN,115

PMGD780SN,115 产品概述

PMGD780SN,115 是一款来自 Nexperia（安世）的双 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），特别设计用于广泛的应用场景，包括开关电源、低功耗电路及各种负载驱动场合。凭借其紧凑的封装、优越的性能参数和稳定的工作温度范围，这款器件成为现代电子设计中不可或缺的组成部分。

核心参数

• 导通电阻（Rds(on)）：在特定驱动条件下，这款 MOSFET 的最大导通电阻仅为 920 毫欧，这是在 Id = 300mA 和 Vgs = 10V 条件下测得的。这一低导通电阻不仅可以降低开关损耗，也有助于提高电源效率，降低热量产生。

• 连续漏极电流（Id）：该器件支持高达 490mA 的连续漏极电流，适合用于需要较大电流处理的负载驱动应用。

• 漏源电压（Vdss）：PMGD780SN,115 的最大漏源电压为 60V，使其具有良好的电压承受能力，适合于中压应用场合。

• 门阈电压（Vgs(th)）：根据不同的 Id，Vgs(th) 的最大值为 2.5V @ 250µA，表明该器件适用于逻辑电平控制，便于与微控制器或其他数字电路接口。

• 栅极电荷（Qg）：在 Vgs = 10V 条件下，栅极电荷最大值为 1.05nC，表明在驱动这个 MOSFET 时所需的栅极驱动能量较低，提高了开关速度并减少了信号延迟。

• 输入电容（Ciss）：在 Vds = 30V 时，输入电容的最大值为 23pF，这保证了器件在快速电平转换时的良好响应性能。

工作温度范围

PMGD780SN,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端环境下运行而不影响性能。这一特性使得该器件在工业、汽车电子以及航空航天等领域得以广泛应用。

封装与安装

PMGD780SN,115 采用 6-TSSOP（小型塑料封装）结构，这种表面贴装型封装不仅节省空间，还使得自动化生产过程更加高效。其紧凑的设计适合于空间有限的电子设备，如便携式设备、智能家居、消费类电子等。

应用场景

凭借其独特的特性，PMGD780SN,115 可以广泛应用于如下领域：

1. 开关电源（SMPS）：在 DC-DC 转换器和逆变器中，可以作为开关元件，改善效率，降低功耗。

2. 负载开关：可以轻松实现对电流负载的控制，应用于各种消费电子及工业控制设备之中。

3. 电动驱动：适用于电动马达的驱动控制，满足瞬态电流的需求，提升电动系统的性能。

4. 逻辑电平转换：可直接与微控制器连接，用于数字信号的电平转换，简化电路设计。

总结

PMGD780SN,115 不仅在性能上满足高要求的应用场景，且其可靠性、灵活性和高效性使其成为设计工程师的优秀选择。无论是高频开关电源还是严苛的环境应用，此款 MOSFET 都能提供稳定且高效的解决方案。选择 PMGD780SN,115，将为您的电子设计注入强大动力。