DDTA113ZUA-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA113ZUA-7-F

商品编码: BM0000744334
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
其他双极型晶体管(BJT)
库存 :
2680(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.731
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.731
--
200+
¥0.244
--
1500+
¥0.153
--
3000+
¥0.105
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA113ZUA-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)33 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTA113ZUA-7-F手册

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DDTA113ZUA-7-F概述

产品概述:DDTA113ZUA-7-F

一、产品简介

DDTA113ZUA-7-F 是一款由美台半导体(Diodes Incorporated)出品的高性能PNP型双极性晶体管(BJT),采用SOT-323封装。这款晶体管特别设计用于低功耗电路,广泛应用于小信号放大和开关电路。其结构先进,性能稳定,适合高频及数据处理等环境,可满足各种电子设计中的需求。

二、基本参数

  • 晶体管类型:PNP(预偏压)
  • 集电极电流(Ic - 最大值):100mA
  • 集射极击穿电压(Vce - 最大值):50V
  • 基极电阻(R1):1 kΩ
  • 发射极电阻(R2):10 kΩ
  • 直流电流增益(hFE):在5V和10mA时,最小值为33
  • 饱和压降(Vce(sat) - 最大值):在500µA和10mA下最大值为300mV
  • 集电极截止电流(最大值):500nA
  • 频率特点:跃迁频率为250MHz
  • 功率消耗(Ptot - 最大值):200mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳材料:SC-70,SOT-323

三、应用领域

DDTA113ZUA-7-F 的设计理念使其成为多种应用场合的理想选择,主要包括:

  1. 信号放大:由于其优良的增益特性,该晶体管可用于小信号的放大应用,适合于音频和无线电信号处理。
  2. 开关电路:在低功耗开关应用中,DDTA113ZUA-7-F 能够高效地切换电流,实现对信号的精准控制。
  3. 反馈电路:其低的截止电流和良好的增益使得此晶体管在闭环系统中表现出色,适用于多种控制和反馈回路。
  4. 便携式设备:由于其轻便的SOT-323封装以及低功耗特点,DDTA113ZUA-7-F 非常适合于手机、遥控器、玩具和其他便携设备。

四、性能特征

  1. 高频响应:随着电子设备对高频性能的需求日益增加,DDTA113ZUA-7-F 提供高达250MHz的跃迁频率,符合现代高速应用的要求。

  2. 优良的增益特性:该晶体管具备较高的直流电流增益(hFE),使得在小电流信号条件下仍能实现有效放大,适合于各种信号处理电路。

  3. 低功耗:低饱和压降(Vce(sat))和低集电极截止电流,为电路提供了高效能而不增加额外的热负担,适用于电池供电的设备。

  4. 高电压耐受性:最大50V的集射极击穿电压,使其在高电压环境下仍能稳定工作,增加了电路设计的灵活性。

  5. 小型封装:SOT-323封装的设计便于在PCB上进行高密度布局,适合现代电子设备的轻薄化需求。

五、总结

DDTA113ZUA-7-F 是一款可靠的PNP型晶体管,因其良好的频率响应、较高的增益特性及低功耗特征,广泛适用于现代电子产品。无论是在音频放大、开关电路设定,还是在便携式设备中,其均能展现出色的性能表现。选择DDTA113ZUA-7-F,无疑为您的项目带来高效能及设计的灵活性,满足现代电子设备日益增长的技术要求。