晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTA113ZUA-7-F 是一款由美台半导体(Diodes Incorporated)出品的高性能PNP型双极性晶体管(BJT),采用SOT-323封装。这款晶体管特别设计用于低功耗电路,广泛应用于小信号放大和开关电路。其结构先进,性能稳定,适合高频及数据处理等环境,可满足各种电子设计中的需求。
DDTA113ZUA-7-F 的设计理念使其成为多种应用场合的理想选择,主要包括:
高频响应:随着电子设备对高频性能的需求日益增加,DDTA113ZUA-7-F 提供高达250MHz的跃迁频率,符合现代高速应用的要求。
优良的增益特性:该晶体管具备较高的直流电流增益(hFE),使得在小电流信号条件下仍能实现有效放大,适合于各种信号处理电路。
低功耗:低饱和压降(Vce(sat))和低集电极截止电流,为电路提供了高效能而不增加额外的热负担,适用于电池供电的设备。
高电压耐受性:最大50V的集射极击穿电压,使其在高电压环境下仍能稳定工作,增加了电路设计的灵活性。
小型封装:SOT-323封装的设计便于在PCB上进行高密度布局,适合现代电子设备的轻薄化需求。
DDTA113ZUA-7-F 是一款可靠的PNP型晶体管,因其良好的频率响应、较高的增益特性及低功耗特征,广泛适用于现代电子产品。无论是在音频放大、开关电路设定,还是在便携式设备中,其均能展现出色的性能表现。选择DDTA113ZUA-7-F,无疑为您的项目带来高效能及设计的灵活性,满足现代电子设备日益增长的技术要求。