DDTA123JE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA123JE-7-F

商品编码: BM0000744333
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
其他双极型晶体管(BJT)
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.242
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.242
--
200+
¥0.156
--
1500+
¥0.136
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA123JE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523

DDTA123JE-7-F手册

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DDTA123JE-7-F概述

产品概述:DDTA123JE-7-F

1. 产品简介

DDTA123JE-7-F 是一款基于双极型晶体管(BJT)技术的PNP型预偏压晶体管,由知名厂商DIODES(美台)生产。该器件设计用于表面贴装技术(SMT),采用SOT-523封装,具有出色的电气性能和高频响应,适用于各种电子电路和应用场景。

2. 主要参数

DDTA123JE-7-F的关键特性包括:

  • 集电极电流 (Ic):最大值为100mA,适合一般低功率应用。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大击穿电压为50V,提供良好的电压恢复能力。
  • 基极电阻 (R1):选择了2.2 kOhm的基极电阻,有利于驱动和控制电流。
  • 发射极电阻 (R2):使用了47 kΩ的发射极电阻,这使得器件在不同操作条件下保持稳定工作。
  • DC电流增益 (hFE):在不同的集电极电流 (Ic) 和集射极电压 (Vce) 条件下,DC电流增益的最小值为80,测试条件为10mA集电极电流和5V集射极电压,这确保了良好的放大特性。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在250µA基极电流和5mA集电极电流的条件下,最大饱和压降为300mV,有助于降低功耗和热量产生。
  • 截止电流 (Ic(off)):最大截止电流为500nA,确保器件在关闭状态时有极低的漏电流。
  • 跃迁频率:高达250MHz的跃迁频率使得DDTA123JE-7-F能够适应高速信号处理需求。
  • 功率输出:最大功率为150mW,使其在多个应用中可靠工作。

3. 应用场景

DDTA123JE-7-F广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:

  • 功率放大器:通过提供高增益和适中的电流能力,使其适用于音频和射频放大器。
  • 开关电路:可用于DC-DC转换器和其他开关电源电路,作为快速开关元件。
  • 信号处理:因其较高的频率特性,适合用于快速信号处理电路和振荡器。
  • 传感器接口:可用于传感器接口电路,提供信号放大和调理功能。

4. 产品优势

  • 高性能:具备高电流增益和低饱和压降的优势,使其在低功耗要求下依然维持较高的性能。
  • 紧凑封装:SOT-523封装使得在空间受限的应用中也能够安装,适合现代电子设备对小型化的需求。
  • 可靠性高:制造工艺和材料选择确保了器件的长期稳定性和可靠性。

5. 结论

综上所述,DDTA123JE-7-F是一款卓越的PNP型双极型晶体管,其优异的参数和广泛的应用场景使其成为电子设计工程师和开发者的理想选择。无论在音频放大、开关电源,还是信号处理和传感器电路,DDTA123JE-7-F都能提供所需的性能和可靠性。借助其优秀的特性与紧凑的封装,这款晶体管能够为现代电子设备的创新与发展提供强大的支持。