晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTA123JE-7-F 是一款基于双极型晶体管(BJT)技术的PNP型预偏压晶体管,由知名厂商DIODES(美台)生产。该器件设计用于表面贴装技术(SMT),采用SOT-523封装,具有出色的电气性能和高频响应,适用于各种电子电路和应用场景。
DDTA123JE-7-F的关键特性包括:
DDTA123JE-7-F广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
综上所述,DDTA123JE-7-F是一款卓越的PNP型双极型晶体管,其优异的参数和广泛的应用场景使其成为电子设计工程师和开发者的理想选择。无论在音频放大、开关电源,还是信号处理和传感器电路,DDTA123JE-7-F都能提供所需的性能和可靠性。借助其优秀的特性与紧凑的封装,这款晶体管能够为现代电子设备的创新与发展提供强大的支持。