DDTA143TE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA143TE-7-F

商品编码: BM0000744332
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
其他双极型晶体管(BJT)
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.242
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.242
--
200+
¥0.156
--
1500+
¥0.136
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA143TE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,2.5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTA143TE-7-F手册

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DDTA143TE-7-F概述

DDTA143TE-7-F 产品概述

1. 产品简介

DDTA143TE-7-F 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),典型应用于低信号放大、开关电路以及其他需要低功耗和高增益元件的应用场景。这款器件由DIODES公司生产,采用SOT-523小尺寸表面贴装封装设计,适合现代电子设备对集成度和空间优化的需求。

2. 基本参数

在评估DDTA143TE-7-F的性能时,其基本电气特性提供了相应的依据:

  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 基极电阻 (R1): 4.7 kΩ
  • DC电流增益 (hFE): 在1mA电流和5V电压下的最小值为100
  • Vce饱和压降: 在250µA至2.5mA的工作条件下最大值为300mV
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大为500nA
  • 跃迁频率: 250MHz
  • 最大功率: 150mW

这些参数确保该器件在各种电子应用中可以提供高效且可靠的性能,在工作频率上可达250MHz,使其能够应用于更高频率的信号处理,需要多种功能的设备中尤其受到青睐。

3. 应用场景

DDTA143TE-7-F被广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。在消费电子产品中,可用于音频放大器、射频前端电路、开关电源等类型。在通信设备中可作为信号放大、开关和整流等用途。在工业控制中,能够用于状态指示灯、电机驱动和小型传感器等场合。

4. 性能特点

  1. 高电流增益: 最小hFE值100,保证了在较小基极电流下就能够实现较大的集电极电流,有助于降低功耗,提升整个电路的效率;

  2. 低饱和压降: 最大300mV的Vce饱和压降,确保在开关操作时损耗小,能够更有效地传递信号,适合用于需要高效率的开关电路;

  3. 小型封装: SOT-523封装设计极大缩小了空间的占用,使得该器件适用于对电路板空间要求严格的高密度应用。

  4. 快速响应: 高达250MHz的频率响应能力使其能够应对快速变更的信号,非常适合高频信号的处理,这一点在音视频信号和数字信号处理中特别重要。

5. 可靠性

DDTA143TE-7-F产品的多项特性都倡导长时间的可靠性和优良的性能,包括低的集电极截止电流(ICBO),表明该产品在无信号状态下能够保持良好的稳定性。此外,其具有150mW的最大功率处理能力,使得在大多数应用条件下均能安全稳定的工作。

6. 结论

综上所述,DDTA143TE-7-F 是一款性能优异、功能全面的PNP工程师晶体管,适用于各种需要低功耗、高频率的电路设计中。其高增益、低饱和压降以及紧凑封装,使得它成为现代电子设计中不可或缺的关键器件。无论是在高精度信号放大、开关控制还是在瞬变信号处理方面,DDTA143TE-7-F都展示了其独特的性能优势,为设计工程师提供了强有力的工具。