晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 100µA,1mA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DDA114TU-7-F 是由美台半导体( Diodes Incorporated )生产的一款高性能双极晶体管。该器件采用SOT-363封装,集成了两个PNP型晶体管,适合在各类数字电路应用中的信号处理和开关控制。这款产品以其高集电极电流能力、低饱和压降和出色的频率特性,成为中低功率应用中的理想选择。
器件类型: DDA114TU-7-F 是一款双PNP预偏置数字晶体管,具有两个独立的晶体管通道,非常适合用于开关和放大应用。
电流和电压规范:
增益特性:
饱和压降:
频率响应:
功率等级:
安装与封装:
DDA114TU-7-F广泛应用于以下领域:
DDA114TU-7-F是美台半导体推出的一款功能强大、性能优异的双PNP数字晶体管,凭借其优秀的增益特性、低饱和压降和高频率响应,适用于多种中小功率应用。在现代电子项目中,无论是开关控制、信号放大还是数字逻辑应用,DDA114TU-7-F均能展现出优异的性能和可靠性。随着电子行业的发展,其资源消耗和体积的优化,使得DDA114TU-7-F不仅是一款效能卓越的元器件,更是一款符合现代设计需求的电子产品。