DDA114TH-7
DDA114TH-7参数
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 100µA，1mA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DDA114TH-7手册
DDA114TH-7概述
DDA114TH-7 产品概述
产品背景
DDA114TH-7 是美国台达（DIODES）公司生产的一款高性能双极型晶体管（BJT），属于PNP类型。这款晶体管特别设计用于低功耗及小型化的电子应用，适用于各种低电压放大器和开关电路。其主要特点在于较高的电流增益和优良的电气特性，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的要求。
主要参数特性
DDA114TH-7 提供了一系列优越的电气参数，使其能够在不同的应用环境中表现出良好的性能。
电流承载能力：该器件的最大集电极电流（Ic）为100mA，适合用于一些中等功率的负载驱动，能够满足常见的信号放大和开关应用.
电压范围：它的集射极击穿电压（Vce）最大为50V，意味着在较高电压的应用场景中也能保持稳定的性能，提高了系统的灵活性与适用性。
DC电流增益（hFE）：在1mA和5V的驱动条件下，DDA114TH-7的最小直流电流增益（hFE）为100，表明其优良的增益特性，使得该器件能在多种工作条件下高效工作，保持较高信号放大能力。
饱和压降：在低电流条件下（100μA和1mA），该器件的Vce饱和压降最大为300mV，这使得该晶体管在开关状态下能有效降低功耗，提高电路效率。
高频特性：跃迁频率高达250MHz，使其能够在高频信号处理中的应用，满足快速开关及动态响应的需求。
功率处理能力：最大功耗为150mW，保证该器件在正常工作时不会因过热而影响性能或造成损坏。
封装与安装：DDA114TH-7采用表面贴装型的SOT-563封装，具有小型至轻量化的特点，使其特别适合于空间受限的应用场景，如移动设备及紧凑型电子设备的设计。
基极电阻器：内置基极电阻（R1）为10kΩ，能够提供合适的偏置电流，从而简化了电路设计，降低了外部元件的需求。
应用场景
考虑到DDA114TH-7的各种特性，它适合应用于以下领域：
消费电子：在电视、音频系统及家庭娱乐设备中，该晶体管可用于信号放大、切换和驱动音频放大器。
移动设备：由于其小型化封装，DDA114TH-7非常适合用于智能手机、平板电脑及其它便携式设备的电源管理和信号处理电路中。
工业控制：在工控系统中，DDA114TH-7可以用作开关控制，驱动继电器或其它负载，展现出其高效、稳定的电气特性。
无线电频率设备：其高达250MHz的跃迁频率，使该晶体管适用于无线通信及数据传输设备中，确保信号的清晰与可靠性。
结论
DDA114TH-7 是一个优秀的PNP型晶体管，以其卓越的电气性能、小型化设计和广泛的应用范围，成为现代电子设备设计中的理想选择。其高增益和低饱和压降使其在运行时具有更好的功率效率，满足了当今电子应用对高可靠性和高性能的需求。无论是在消费电子、移动设备还是工业控制场景中，DDA114TH-7都能为工程师提供灵活的设计解决方案并促进创新。选择DDA114TH-7，能够为您的项目带来优异的性能保障。