安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 990 毫欧 @ 100mA,4.5V,1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 455mA (Ta), 328mA (Ta) | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V | 漏源电压(Vdss) | 20V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 300mW |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
DMC21D1UDA-7B 产品概述
1. 产品背景与介绍
DMC21D1UDA-7B是一款高性能的双沟道场效应管(MOSFET),由美台半导体(DIODES)公司生产。它采用表面贴装型(SMD)封装,适合现代紧凑型电子设计的需求。DMC21D1UDA-7B 包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用场景,是电子设计工程师的理想选择。
2. 关键参数
该产品的额定性能使得其在多种应用中表现出色。以下是其关键参数的详细说明:
安装类型: DMC21D1UDA-7B采用表面贴装型(SMD)封装,适合自动化生产线的高效安装。
导通电阻 (Rds(on)): 在不同栅源电压(Vgs)下,该MOSFET的导通电阻最大值为990毫欧(@ 100mA,4.5V),在低压条件下, Rds(on)可达到1.9欧姆。这一特性确保了在实际工作中,设备能有效降低功耗,提升能效。
漏极电流 (Id): 该器件的连续漏极电流在环境温度为25°C时,可以达到455mA(Ta)以及328mA(Ta)。这使得该产品适用于中等功率应用领域。
漏源电压 (Vdss): DMC21D1UDA-7B具有20V的耐压能力,符合多种低压电源应用的需求,为稳定性和可靠性提供了保障。
栅极电荷 (Qg): 在Vgs 4.5V的条件下,栅极电荷最大值为0.41nC,这意味着其在高频开关应用中具备良好的快速响应能力,从而提高了开关效率。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为31pF(@ 15V),这使得元器件的开关速度更快,适合高频率应用。
3. 工作温度范围
DMC21D1UDA-7B的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于极端环境下的应用,如汽车电子、工业控制及智能家居设备等。该温度范围的广泛适用性使其能够在多种恶劣条件下可靠工作。
4. 应用场景
综合上述特性,DMC21D1UDA-7B适用于多个应用领域,包括但不限于:
DC-DC转换器: 由于其低Rds(on)特性,该MOSFET能够有效降低转换过程中的能量损耗,提升整体能效。
开关电源: 适合用于开关电源的输出阶段,能够保证良好的电流控制与电源管理。
电机驱动: 具有较高的连续漏极电流能力,使DMC21D1UDA-7B适用于小型电机驱动应用中,推动设备高效运转。
汽车及工业控制: 由于其广泛的工作温度和高可靠性,该MOSFET非常适合用于汽车电子和工业控制系统中,确保系统的稳定运行。
5. 结论
DMC21D1UDA-7B凭借其优秀的电气特性、宽广的工作温度和可靠性,在现代电子设计中占有重要地位。其兼具性能和经济性的特点使得它在多种应用中均可发挥良好的作用。对于需要在小型化和高效能之间取得平衡的电子设备开发者来说,DMC21D1UDA-7B无疑是一个极具吸引力的选择。选择DIODES的DMC21D1UDA-7B MOSFET,将为您的项目增添强大的动力。