晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 100µA,1mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
DDC144TH-7-F 是一种高性能的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 预偏压式(双)晶体管,专为满足小型化、低功耗设备而设计。该产品由美台电气(DIODES)制造,采用 SOT-563 封装,确保了其优良的热管理和电气性能。这款晶体管适用于多种电子应用场合,如开关电源、模拟信号处理、高频小信号放大等领域。
电气特性
增益特性
电阻特性
功率处理
封装与安装
DDC144TH-7-F 可广泛应用于以下几种场合:
DDC144TH-7-F 的设计充分考虑到现代电子市场对小型化和高效能的需求。其高频特性、良好的增益性能与适中的功耗,使其能够在多种应用场合中灵活运用。此外,经过优化的封装设计更是提升了集成度,降低了系统的整体尺寸,非常适合当前电子行业对小型、高效、可靠元器件的迫切需求。
通过选用 DDC144TH-7-F,设计工程师可以在确保性能的同时,享受便捷的安装及优秀的电路稳定性。这使得它无疑是现代电子设计中的一项极具价值的选择。