类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 34V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 35V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 58V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 10A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 580W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 44pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0402(1006 公制) | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
D34V0H1U2LP-7B 是由美台(DIODES)推出的一款高效能齐纳(TVS)二极管,专为电力线路过压保护和瞬态电压抑制应用而设计。此款产品采用0402(1006公制)表面贴装型封装,方便集成在各种电子设备中,其适用场景广泛,能够有效保护敏感设备免受过电压和瞬态电流冲击的影响。
反向断态电压:该二极管的典型反向断态电压为34V,最大反向电压可达34V,非常适合用于需要控制过压的电路设计。
击穿电压:D34V0H1U2LP-7B 的最小击穿电压为35V,这意味着在超过此电压时,二极管能够迅速导通以保护后端电路免受过电压的影响。
电压钳位能力:在承受不同峰值脉冲电流(Ipp)情况下,设备可提供最大钳位电压58V,为电路提供有效的保护并降低损坏风险。
脉冲电流处理能力:D34V0H1U2LP-7B 能够承受高达10A的峰值脉冲电流,同时其脉冲宽度为10/1000µs。这种特性使其能够在高频和高强度瞬态条件下表现出优异的性能。
峰值功率:这款二极管的峰值脉冲功率可达580W,适用于多种极端的瞬态电压抑制应用,从电视机、音响设备到各种工业设备,均可使用该产品以确保安全性和稳定性。
频率特性:该产品在1MHz频率下的电容为44pF,确保在高频应用中仍能有效运作,有助于减少信号质量损失。
工作温度范围:D34V0H1U2LP-7B 的工作温度范围为-65°C 到 150°C(TJ),可以保证设备在极端环境下也能稳定运行,适用于严苛的应用场景和各种环境条件。
D34V0H1U2LP-7B 适合广泛的应用,包括但不限于:
D34V0H1U2LP-7B采用X1-DFN1006-2封装,采用表面贴装技术(SMD),简化了元器件的焊接和集成过程,适合自动化生产线。其小型化的设计也为更紧凑的电路布板提供了可能,使其在空间受限的应用中尤为重要。
总体而言,D34V0H1U2LP-7B 是一款性能卓越、应用广泛的齐纳二极管,拥有强大的瞬态电压抑制能力和出色的击穿特性。无论是在消费电子产品还是工业设备中,其都能够提供可靠的过压保护,是设计人员在电子保护领域的理想选择。通过选择D34V0H1U2LP-7B,用户可以有效提高产品的稳定性和安全性,为各种电子应用提供坚实的保护。