D34V0H1U2LP-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

D34V0H1U2LP-7B

商品编码: BM0000744262
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
TVS二极管
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.642
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.642
--
100+
¥0.443
--
500+
¥0.402
--
2500+
¥0.373
--
5000+
¥0.348
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

D34V0H1U2LP-7B参数

类型齐纳单向通道1
电压 - 反向断态(典型值)34V(最大)电压 - 击穿(最小值)35V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)58V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)10A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲580W电源线路保护
应用通用不同频率时电容44pF @ 1MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳0402(1006 公制)供应商器件封装X1-DFN1006-2

D34V0H1U2LP-7B手册

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D34V0H1U2LP-7B概述

D34V0H1U2LP-7B 产品概述

D34V0H1U2LP-7B 是由美台(DIODES)推出的一款高效能齐纳(TVS)二极管,专为电力线路过压保护和瞬态电压抑制应用而设计。此款产品采用0402(1006公制)表面贴装型封装,方便集成在各种电子设备中,其适用场景广泛,能够有效保护敏感设备免受过电压和瞬态电流冲击的影响。

主要特性

  1. 反向断态电压:该二极管的典型反向断态电压为34V,最大反向电压可达34V,非常适合用于需要控制过压的电路设计。

  2. 击穿电压:D34V0H1U2LP-7B 的最小击穿电压为35V,这意味着在超过此电压时,二极管能够迅速导通以保护后端电路免受过电压的影响。

  3. 电压钳位能力:在承受不同峰值脉冲电流(Ipp)情况下,设备可提供最大钳位电压58V,为电路提供有效的保护并降低损坏风险。

  4. 脉冲电流处理能力:D34V0H1U2LP-7B 能够承受高达10A的峰值脉冲电流,同时其脉冲宽度为10/1000µs。这种特性使其能够在高频和高强度瞬态条件下表现出优异的性能。

  5. 峰值功率:这款二极管的峰值脉冲功率可达580W,适用于多种极端的瞬态电压抑制应用,从电视机、音响设备到各种工业设备,均可使用该产品以确保安全性和稳定性。

  6. 频率特性:该产品在1MHz频率下的电容为44pF,确保在高频应用中仍能有效运作,有助于减少信号质量损失。

  7. 工作温度范围:D34V0H1U2LP-7B 的工作温度范围为-65°C 到 150°C(TJ),可以保证设备在极端环境下也能稳定运行,适用于严苛的应用场景和各种环境条件。

应用场景

D34V0H1U2LP-7B 适合广泛的应用,包括但不限于:

  • 电源线路保护:能够有效防止电源线路上的过电压现象,确保供电系统的可靠性。
  • 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视、游戏机等,提供必要的瞬态保护,延长产品寿命。
  • 工业设备:如马达控制器、传感器和控制系统等,防止由于瞬态电压导致的设备损坏。
  • 通讯设备:在交换机、路由器等网络设备中保护敏感电子元器件,保证网络通信的稳定性。

封装与安装

D34V0H1U2LP-7B采用X1-DFN1006-2封装,采用表面贴装技术(SMD),简化了元器件的焊接和集成过程,适合自动化生产线。其小型化的设计也为更紧凑的电路布板提供了可能,使其在空间受限的应用中尤为重要。

结论

总体而言,D34V0H1U2LP-7B 是一款性能卓越、应用广泛的齐纳二极管,拥有强大的瞬态电压抑制能力和出色的击穿特性。无论是在消费电子产品还是工业设备中,其都能够提供可靠的过压保护,是设计人员在电子保护领域的理想选择。通过选择D34V0H1U2LP-7B,用户可以有效提高产品的稳定性和安全性,为各种电子应用提供坚实的保护。