晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 310mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
ADTC114ECAQ-7 是一款由 DIODES(美台)公司生产的数字晶体管,采用 SOT-23-3 表面贴装封装。这款 NPN 型晶体管专为高效能和灵活性而设计,适用于广泛的电子应用,包括开关和放大用途。其关键参数使其在多种场合中表现出色,特别是在需要相对较高的频率和电流增益的应用中。
ADTC114ECAQ-7 的最大集电极电流 (Ic) 为 100mA,能够在许多标准电路中提供足够的驱动能力。此外,其集射极击穿电压 Vce (max) 达到 50V,意味着在高压条件下仍然能够安全操作,从而提高了系统的可靠性。
该晶体管的增益是其另一个重要特性。在 Ic 和 Vce 的范围内,此产品的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 30,测试条件为 5mA 和 5V。这使得其在驱动其它元件时,能够有效地放大信号,提高整体电路的性能。对于进一步提高驱动能力的应用,ADTC114ECAQ-7 也能在更高的基极电流 (Ib) 下表现出良好的 Ic 输出,确保电路的稳定性。
此晶体管在饱和状态下的 Vce 饱和压降 (Vce(sat)) 最大值为 300mV,测试条件为 500µA 和 10mA。这一特性确保在高频率和大电流应用时,能够保持较低的功耗,避免不必要的损耗与发热。
ADTC114ECAQ-7 的集电极截止电流在最大 500nA 的规格下表明,其在关断状态时的泄漏电流非常小,这对于电池供电的产品尤其重要,能够延长设备的使用寿命,减少电池消耗。
该器件具有高达 250MHz 的跃迁频率,适合大多数高频应用需求,能够支持快速切换和数据处理。这使得 ADTC114ECAQ-7 特别适合用于数字电路中的信号处理、开关电路以及无线通信中。同时,其最大功率可达 310mW,为多种应用提供了足够的功率处理能力,在不超出规格的条件下保证安全和稳定。
ADTC114ECAQ-7 采用的是 SOT-23 封装,体积小巧,适合现代电子设备的 miniaturization 需求。表面贴装型的设计使得用户在PCB布线和布局上具有很大的灵活性,能够在空间有限的环境中实现高效的性能。
ADTC114ECAQ-7 可广泛应用于各类电子设备中,如消费电子、汽车电子、工业控制系统和通信设备等。其出色的增益特性和高频性能使其成为构建高效率开关电路、放大器和信号处理器的理想选择。
总的来说,ADTC114ECAQ-7 是一款功能强大且可靠的数字晶体管,其相对较高的集电极电流、低饱和压降及较强的高频性能使其在多种电子应用中发挥着重要作用。对于寻求高效能解决方案的设计师而言,ADTC114ECAQ-7 不仅提供了卓越的电气性能,也具备了广泛的应用场景与良好的可靠性。