晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 270mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
ADC143ZUQ-7是一款双NPN预偏置数字晶体管,采用SOT-363封装,适用于各种现代电子应用。该产品由DIODES(美台)公司生产,旨在满足高性能要求并提供可靠的解决方案。集成的双NPN晶体管使得此器件在电路设计中具有广泛的灵活性,特别适合在低功耗和小型化设计中应用。
双通道设计:ADC143ZUQ-7集成了两个NPN晶体管,提供了高效的信号处理和开关功能。这使得该器件不仅能够作为单独的放大器使用,还能在不同电路配置中灵活应用。
高电流与电压承受能力:该产品的集电极电流(Ic)最大可达100mA,适合驱动各种负载。同时,集射极击穿电压(Vce(max))为50V,这为应用提供了更大的设计余地,可广泛适用于多个领域,如通信、消费电子等。
优异的增益特性:ADC143ZUQ-7的DC电流增益(hFE)在特定条件下最小值可达80(@ 10mA,5V),提供更为稳定的工作特性和较高的开关性能,确保信号传输的效率与准确性。
低饱和压降:在电流达到250µA和5mA时,Vce饱和压降最大为300mV,这意味着产品在开关状态下的功耗非常低,有助于提升整体电路的能效。
高频响应:频率跃迁达250MHz,适用高速信号处理,对高频应用场景具有良好的适应性,如射频通信和快速开关电源等。
低漏电流:最大集电极截止电流为500nA,确保在待机或开关关闭时,电路可保持极低的功耗,有助于延长SPM(电池存储设备)的寿命。
ADC143ZUQ-7设备极适用于以下几个领域:
ADC143ZUQ-7采用SOT-363表面贴装封装,具有小巧的尺寸,便于在有限的空间内进行集成,同时支持高密度PCB设计。SOT-363封装确保了良好的热散热性和电气性能,适应各种应用环境。
ADC143ZUQ-7是一个强大的双NPN晶体管器件,凭借其高效、低功耗要求与多功能设计,成为现代电子电路设计的优选方案。无论是对于要求高频响应的通信系统还是对功耗敏感的消费电子产品,ADC143ZUQ-7都能提供可靠的性能和卓越的价值,为用户的创新提供助力。选择ADC143ZUQ-7,您将拥有一款先进的电子元器件,助力于设计出更高效、更可靠的电子产品。