BSS138IXTSA1
BSS138IXTSA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 230mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 26µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 32 pF @ 25 V | 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS138IXTSA1手册
BSS138IXTSA1概述
BSS138IXTSA1 产品概述
概述
BSS138IXTSA1 是由英飞凌（Infineon Technologies）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，其主要应用于各种电子电路中，如开关电源、功率放大器和负载开关等。这款器件以其低导通电阻、高效能和宽广的工作温度范围而受到工程师的广泛青睐。
产品规格
BSS138IXTSA1 的重要规格参数如下：
- 制造商: Infineon Technologies
- 零件状态: 在售
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss): 60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230 mA
- 驱动电压: 4.5 V, 10 V
- 最大导通电阻: 3.5 Ω @ 230 mA, 10 V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.4V @ 26 µA
- 输入电容 (Ciss): 最大 32 pF @ 25 V
- 栅极电荷 (Qg): 最大 1 nC @ 10 V
- 最大栅源电压 (Vgs): ±20 V
- 功耗: 最大功率耗散 360 mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: 表面贴装型，封装型号为 PG-SOT-23-3（也兼容 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3）
工作原理及应用
MOSFET 是一种场效应管，与传统的双极性晶体管相比，其控制电流的方式更依赖于栅极电压的变化。BSS138IXTSA1 的 N 通道特性，使其在打开时能够有效地导通电流，具有较高的开关速度和低的导通损耗。这使得它非常适合在大电流、小体积的应用中使用。
在广泛的应用场景中，这款 MOSFET 主要被用作：
开关电源: 在开关电源电路中，BSS138IXTSA1 可用于控制电源的开关，保证高效的能量传递，降低能量损耗。
负载开关: 在 LED 驱动器和马达驱动器等应用中，可以利用该 MOSFET 的高开关速率和优良性能实现精准的负载控制。
信号放大: 在低功耗放大器中，BSS138IXTSA1 可用于调节信号幅度，与其较低的默认导通电阻搭配，适用于需要低信号干扰的电路设计。
设计优点
BSS138IXTSA1 拥有多个设计上的优点：
高效性: 其高达 60V 的漏源电压和高达 230mA 的连续漏极电流，适合处理各种功率需求和应用。
低导通电阻: 最大导通电阻为 3.5Ω，意味着在工作时可以减少热量产生，提升系统效率。
宽工作温度范围: 即使在极端环境下，-55°C 到 150°C 的工作温度也保障了产品的稳定性适用性。
小型化封装: SOT-23-3 的小型化设计，方便于集成在各类紧凑型电子产品中，尤其在空间受限的设计中极具优势。
结论
总的来说，BSS138IXTSA1 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，适合多种工业及消费电子应用。无论在开关电源、负载控制还是信号放大中，它都能提供出色的性能和较低的能耗，帮助工程师更好地完成各种电子设计需求。利用现代技术与创新，英飞凌继续为市场提供高性能的电子元器件，支持用户设计高效、可靠的电子设备。