FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.8V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 欧姆 @ 140mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 130µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.8nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 109pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SC-59 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
BSR92PH6327XTSA1是一款高性能的P沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。此器件专为高电压应用而设计,具有250V的漏源电压(Vdss)和140mA的连续漏极电流(Id),适用于各种电子设备中高效能的电源管理和开关应用。
BSR92PH6327XTSA1的主要参数包括:
BSR92PH6327XTSA1采用SC-59-3(TO-236-3,SOT-23-3)表面贴装型封装,使其在PCB设计和布局中占用较小空间,符合现代电子设备对小型化和集成度的需求。小型封装不仅节省空间,还能有效降低整体重量,适合便携式设备。
BSR92PH6327XTSA1的多样化特点使其适用于多种应用场景,包括:
BSR92PH6327XTSA1的设计遵循严格的工业标准,确保其在多种设定和极端环境下都能保持出色的性能。MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C,意味着它可以满足恶劣环境条件下的需求,确保设备的长期可靠性。
BSR92PH6327XTSA1是一个性能优越的P沟道MOSFET,凭借其高电压能力、优良的导通特性及广泛的温度适应性,在现代电子设计中展示出其独特的优势和灵活性。无论是在电源管理、信号放大还是驱动控制等应用中,BSR92PH6327XTSA1都能为设计工程师提供可靠而高效的解决方案,是高科技电子产品中的理想选择。