BSR92PH6327XTSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSR92PH6327XTSA1

商品编码: BM0000744238
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SC59-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 250V 140mA 1个P沟道 SC-59-3
库存 :
541(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.49
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.49
--
100+
¥1.2
--
750+
¥1.07
--
1500+
¥1.01
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSR92PH6327XTSA1参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)250V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)140mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.8V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 欧姆 @ 140mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 130µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)4.8nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)109pF @ 25V
功率耗散(最大值)500mW(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-SC-59
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

BSR92PH6327XTSA1手册

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无数据

BSR92PH6327XTSA1概述

产品概述:BSR92PH6327XTSA1 P沟道MOSFET

1. 产品简介

BSR92PH6327XTSA1是一款高性能的P沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。此器件专为高电压应用而设计,具有250V的漏源电压(Vdss)和140mA的连续漏极电流(Id),适用于各种电子设备中高效能的电源管理和开关应用。

2. 关键参数

BSR92PH6327XTSA1的主要参数包括:

  • 漏源电压(Vdss):250V,适合处理高压环境。
  • 连续漏极电流(Id):140mA,在25°C时能稳定工作,适合要求较低电流的应用场景。
  • 导通电阻(Rds(on)):高达11欧姆(在10V Vgs下,140mA电流时)。这个值在MOSFET的选择中非常关键,影响效率和发热。
  • 栅源电压阈值(Vgs(th)):最大值为1V(在130µA时),指示了该器件的启动电压,适合在低电压信号下保持开启状态。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为4.8nC(在10V Vgs下),较低的栅极电荷使得开关速度更快,适应高频应用。
  • 输入电容(Ciss):109pF(在25V Vds下),这一特性为电路设计提供了良好的频率响应。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,允许在极端环境下工作,提升了应用的灵活性。

3. 封装与安装

BSR92PH6327XTSA1采用SC-59-3(TO-236-3,SOT-23-3)表面贴装型封装,使其在PCB设计和布局中占用较小空间,符合现代电子设备对小型化和集成度的需求。小型封装不仅节省空间,还能有效降低整体重量,适合便携式设备。

4. 应用场景

BSR92PH6327XTSA1的多样化特点使其适用于多种应用场景,包括:

  • 电源管理:在高电压电源电路中作为开关元件,提供稳定的电源输出。
  • 音频功率放大器:可用作信号放大和开关,扩展音频信号处理能力。
  • 马达驱动:在电机驱动电路中,高压特性和开关速度使其适合于各类小型电机的控制。
  • 医疗电子:其高可靠性和宽工作温度范围使其可应用于各种医疗设备,有助于提高设备的稳定性和安全性。

5. 可靠性与稳定性

BSR92PH6327XTSA1的设计遵循严格的工业标准,确保其在多种设定和极端环境下都能保持出色的性能。MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C,意味着它可以满足恶劣环境条件下的需求,确保设备的长期可靠性。

结论

BSR92PH6327XTSA1是一个性能优越的P沟道MOSFET,凭借其高电压能力、优良的导通特性及广泛的温度适应性,在现代电子设计中展示出其独特的优势和灵活性。无论是在电源管理、信号放大还是驱动控制等应用中,BSR92PH6327XTSA1都能为设计工程师提供可靠而高效的解决方案,是高科技电子产品中的理想选择。