安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 85 毫欧 @ 3A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 380pF @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | 150°C(TJ) | 漏源电压(Vdss) | 60V |
功率耗散(最大值) | 540mW(Ta) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
RSR030N06TL 是一款由 ROHM(罗姆)公司推出的高性能 N 沟道 MOSFET,专为高效能功率管理及开关应用而设计。采用表面贴装型(SMT)封装,配备 TSMT3 封装,具有极小的体积和优良的电性能,非常适合于现代电子设备的需求,尤其是在空间受限的环境中。
RSR030N06TL 的关键电气特性包括:
RSR030N06TL 的设计使其广泛应用于以下领域:
RSR030N06TL 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,结合了高性能与可靠性,适合于多种电源和开关应用。它在低导通电阻、高电流能力及宽温度范围等方面的卓越性能,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在复杂的电源管理系统中,还是在高温环境下的稳定性要求,RSR030N06TL 都能发挥其潜力,为用户提供持久、稳定的电力支持。