RSR030N06TL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RSR030N06TL

商品编码: BM0000744235
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.034g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 540mW 60V 3A 1个N沟道 TSMT3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.13
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.13
--
200+
¥0.867
--
1500+
¥0.754
--
3000+
¥0.655
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RSR030N06TL参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)85 毫欧 @ 3A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)380pF @ 10VVgs(最大值)±20V
工作温度150°C(TJ)漏源电压(Vdss)60V
功率耗散(最大值)540mW(Ta)不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA

RSR030N06TL手册

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RSR030N06TL概述

RSR030N06TL 产品概述

RSR030N06TL 是一款由 ROHM(罗姆)公司推出的高性能 N 沟道 MOSFET,专为高效能功率管理及开关应用而设计。采用表面贴装型(SMT)封装,配备 TSMT3 封装,具有极小的体积和优良的电性能,非常适合于现代电子设备的需求,尤其是在空间受限的环境中。

主要特点

  • 导通电阻: RSR030N06TL 在 3A、10V 条件下的最大导通电阻(Rds(on))为 85 毫欧,显示出良好的导电性能。这意味着在正常工作条件下,MOSFET 可有效降低功率损耗,提高系统的能效。
  • 工作电压范围: 该器件具备高达 60V 的漏源电压(Vdss),适合于中频至高频应用,确保在电源波动及电压尖峰情况下的稳定运行。
  • 连续漏极电流: 在环境温度为 25°C 时,连续漏极电流(Id)可达 3A,使其能够应对较大负载的需求。
  • 输入电容: 在 10V 下,输入电容(Ciss)最大值为 380pF,确保快速开关能力,这使得 RSR030N06TL 特别适合于高频开关场合。

电气特性

RSR030N06TL 的关键电气特性包括:

  • 驱动电压: 最小驱动电压(Vgs)为 4V,最大为 10V,因此用户可以根据具体设计需求灵活选择驱动电压,适应不同电源的配合使用。
  • 阈值电压: 不同 Id 条件下的 Vgs(th) 最大值为 2.5V @ 1mA,表明器件在较低的门限电压下也能开始导通,这进一步提高了其在低电压应用中的适用性。
  • 温度特性: 该 MOSFET 的工作温度范围可达到 150°C(TJ),使其具备优良的耐热性能,适合在高温环境下工作,提升了系统整体的可靠性。

应用场合

RSR030N06TL 的设计使其广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理: 由于其较低的导通电阻和良好的热特性,此器件广泛应用于电源管理电路,如 DC-DC 转换器、交流电源适配器等。
  2. 电机驱动: 可在无刷直流电机和步进电机驱动中充当开关元件,充分利用其高电流及电压特性。
  3. 汽车电子: 适用于汽车内部电源供应及控制模块中的开关场合,VN60V的工作电压使其能够满足汽车电力系统的需求。
  4. 消费电子: 包括智能手机、平板电脑以及其他便携式设备中,为电源管理提供可靠的开关解决方案。

结论

RSR030N06TL 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,结合了高性能与可靠性,适合于多种电源和开关应用。它在低导通电阻、高电流能力及宽温度范围等方面的卓越性能,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在复杂的电源管理系统中,还是在高温环境下的稳定性要求,RSR030N06TL 都能发挥其潜力,为用户提供持久、稳定的电力支持。