DMN2025UFDF-13
DMN2025UFDF-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 486pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN2025UFDF-13手册
DMN2025UFDF-13概述
产品概述：DMN2025UFDF-13
基本介绍：
DMN2025UFDF-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（绝缘栅场效应晶体管），由美台（Diodes Incorporated）制造，采用 6-引脚 U-DFN2020-6 封装。这款器件设计用于需要高效率和小型化的电子应用，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他负载控制电路中。
关键特性：
漏源电压（Vds）：该 MOSFET 的漏源电压可达 20V，使其适用于多个中低压应用场景。
连续漏极电流（Id）：在标准的环境温度（25°C）下，DMN2025UFDF-13 可支持高达 6.5A 的连续漏极电流，极大增强了其在高负载条件下的可靠性。
导通电阻（Rds On）：在偏置电压 Vgs 为 4.5V 时，最大导通电阻可达到 25 毫欧，这为降低能量损失和提升效率提供了优势。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1V，保证元器件能够在低电压条件下快速开关，提高了其兼容性。
栅极电荷（Qg）：在 Vgs 为 10V 的情况下，栅极电荷最大为 12.3nC，这一参数影响开关频率的能力，较小的 Qg 值使得器件适合高频率的操作。
功率耗散（Pd）：该 MOSFET 具有高达 700mW 的功率耗散能力，适应于各种功率密集型应用。
工作温度范围：DMN2025UFDF-13 能够在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适合在严酷环境下使用。
封装与安装：
DMN2025UFDF-13 采用 U-DFN2020-6 裸露焊盘封装，具有优良的热性能和电气性能。UDFN 封装的紧凑设计减少了电路板占用空间，并适合于现代小型、高密度的电子产品设计。同时，表面贴装型（SMD）设计使得其在自动化生产中更加高效，减少了装配成本。
应用领域：
DMN2025UFDF-13 适用于多个领域，特别是在需要高效率和小型化的场景中。例如：
- 开关电源：可作为高效开关元件，提高系统的整体能效。
- DC-DC 转换器：该 MOSFET 的快速开关特性适合各种输入输出电压场合，确保良好的电源管理。
- 电机驱动：广泛应用于各种电机控制电路中，提供稳定的电流输出。
- 其他控制电路：在医疗设备、便携式设备及消费类产品中也表现出优良的性能。
结论：
综上所述，DMN2025UFDF-13 是一款结构紧凑、性能卓越的 N 通道 MOSFET，能够在各种应用环境中实现高效能和高可靠性。其宽广的工作温度范围、较低的导通电阻以及出色的开关特性使其成为现代电子设计中不可或缺的重要元素。无论是在高频应用还是高电流负载控制中，DMN2025UFDF-13 都能够提供优质的解决方案，助力创新和高效能的电子产品开发。