MMBZ5225B-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBZ5225B-7-F

商品编码: BM0000744191
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
稳压二极管 3V 350mW 50uA@1V 30Ω SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.557
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.557
--
200+
¥0.185
--
1500+
¥0.116
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBZ5225B-7-F参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3V容差±5%
功率 - 最大值350mW阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50µA @ 1V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

MMBZ5225B-7-F手册

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MMBZ5225B-7-F概述

MMBZ5225B-7-F 产品概述

一、产品简介

MMBZ5225B-7-F是一款高性能的齐纳稳压二极管,专为提供稳定的参考电压和过压保护而设计。该器件的标称齐纳电压为3V,极适合在电压保护、稳压电源和电器元件的电压参考应用中使用。作为一款表面贴装元件,其封装类型为SOT-23,采用紧凑的设计,使其特别适合空间受限的现代电子产品。

二、关键规格

  1. 齐纳电压(Vz): 3V

    • 该稳压二极管在反向偏置的情况下,能够保持稳定的输出电压,适用于需要严格电压控制的电路。
  2. 电压容差: ±5%

    • 在不同的工作条件下,具体的齐纳电压会有所偏差,最大容许偏差为±5%。这一特性使得MMBZ5225B-7-F能在多种应用场景下提供可靠性。
  3. 最大功率: 350mW

    • 该产品能够承受的最大功率是350毫瓦,适应中小功率的稳压需求。
  4. 最大阻抗(Zzt): 30Ω

    • 在工作状态下,所表现出的动态阻抗最大值为30欧姆,保证了良好的调节能力和反应速度。
  5. 反向泄漏电流: 50µA @ 1V

    • 在1V的反向偏置电压下,器件的泄漏电流非常微小,仅为50微安,优越的性能可以降低系统功耗,增强电路的稳定性。
  6. 正向压降(Vf): 900mV @ 10mA

    • 在正向偏置条件下,流过10毫安电流时,正向压降为900毫伏,提示设计师在搭建电路时需要考虑电源和负载的影响。
  7. 工作温度范围: -65°C ~ 150°C

    • MMBZ5225B-7-F的宽工作温度范围,使其能在恶劣的环境条件下稳定工作,特别适合汽车、航空航天和工业应用等领域。
  8. 封装类型: SOT-23

    • SOT-23是高密度封装的一种,便于在现代电子电路中实现小型化设计,适合在自动化贴片生产中使用。

三、应用领域

MMBZ5225B-7-F的应用范围极其广泛,包括但不限于:

  • 电源管理: 在开关电源、电压参考和稳压电源等应用中,提供稳定的电压输出。
  • 消噪电路: 适用于自我调节的消噪应用,降低电路的噪声干扰。
  • 电器安全保护: 在过电压情况时,能够迅速反应,保护下游电路及器件。
  • 通信设备: 为通信产品提供可靠的电压参考,确保信号传输的稳定性。
  • 消费电子: 在手机、计算机及其他便携式设备中,广泛使用以确保稳定性和安全性。

四、总结

总体而言,MMBZ5225B-7-F是一款集高性能、广泛应用和优良可靠性于一身的齐纳稳压二极管。其3V的齐纳电压、±5%的电压容差、350mW的功率能力以及在-65°C到150°C的宽温度范围,使得该器件能够满足众多工业和消费品的设计要求。通过对该元件的合理应用,可以有效提升电路的稳定性、耐久性,同时简化设计过程。作为DIODES(美台)品牌的优质产品,MMBZ5225B-7-F在电子设计工程师们的心中占据着重要的地位,是可选的理想方案。