电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 3V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 350mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 30 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50µA @ 1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBZ5225B-7-F是一款高性能的齐纳稳压二极管,专为提供稳定的参考电压和过压保护而设计。该器件的标称齐纳电压为3V,极适合在电压保护、稳压电源和电器元件的电压参考应用中使用。作为一款表面贴装元件,其封装类型为SOT-23,采用紧凑的设计,使其特别适合空间受限的现代电子产品。
齐纳电压(Vz): 3V
电压容差: ±5%
最大功率: 350mW
最大阻抗(Zzt): 30Ω
反向泄漏电流: 50µA @ 1V
正向压降(Vf): 900mV @ 10mA
工作温度范围: -65°C ~ 150°C
封装类型: SOT-23
MMBZ5225B-7-F的应用范围极其广泛,包括但不限于:
总体而言,MMBZ5225B-7-F是一款集高性能、广泛应用和优良可靠性于一身的齐纳稳压二极管。其3V的齐纳电压、±5%的电压容差、350mW的功率能力以及在-65°C到150°C的宽温度范围,使得该器件能够满足众多工业和消费品的设计要求。通过对该元件的合理应用,可以有效提升电路的稳定性、耐久性,同时简化设计过程。作为DIODES(美台)品牌的优质产品,MMBZ5225B-7-F在电子设计工程师们的心中占据着重要的地位,是可选的理想方案。