晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 450mV @ 20mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 400 @ 2A,2V |
功率 - 最大值 | 2W | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT689BTA 产品概述
FZT689BTA 是一款具有优异性能的 NPN 型晶体管,特别适用于功率放大和开关应用。这款晶体管由美台(DIODES)生厂,具有现代电子电路开发中所需的多种特性,广泛适用于通信、民用以及工业设备。
基本参数
FZT689BTA 作为一款 NPN 晶体管,其集电极电流(Ic)最大值可达 3A,适合用于需要较大电流处理的场景。其集射极击穿电压(Vce)最大值为 20V,使其能够在相对较低的电压下安全运行,增加了其在便携式设备和嵌入式系统中的实用性。
该晶体管在饱和状态下的集电极-发射极压降(Vce sat)为 450mV(在 Ib = 20mA, Ic = 3A 时),这一特性有助于在开关应用中降低功率损耗,提升效率。这使得 FZT689BTA 在高频切换的场合表现出色,其频率范围可达 150MHz,能够满足高频开关和射频放大器等应用的需求。
电流增益和功率特性
FZT689BTA 的 DC 电流增益(hFE)在不同条件下也表现优秀,最小值可达到 400(在 Ic = 2A,Vce = 2V 时)。这个高增益使得它在信号放大和开关控制电路中能够提供强大的放大能力和更高的效率。此外,FZT689BTA 的最大功率为 2W,适合于中等功率的控制应用。
环境适应性
在环境适应性方面,FZT689BTA 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,让它能在极端环境下稳定运行,适应多种工作条件。这种特性尤其适合航空航天、军事和高温工业应用。
封装与安装
FZT689BTA 采用 SOT-223 封装,便于表面贴装,适合现代小型化电路设计。表面贴装型设计不仅节省了空间,还提高了电路板的组装效率,成为电子设备常用的封装形式。
应用场合
FZT689BTA 的应用范围广泛,特别是在下列领域表现出色:
总结
FZT689BTA 晶体管凭借其出色的电流处理能力、高频特性、广泛的工作温度范围及高功率处理能力,成为现代电子设计中一种非常受欢迎的选择。其 SOT-223 封装设计使得它在紧凑的电路布局中也能有效应用,配合高效能和稳定性,FZT689BTA 在未来的电子产品开发中有着广阔的市场前景与应用潜力。无论是音频放大、开关电源还是高频通信,FZT689BTA 都是理想的选择。