DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7 产品概述

一、产品简介

DMN61D9UDW-7 是由美台半导体（Diodes Incorporated）生产的一款高性能 N-通道场效应管（MOSFET），属于标准 FET 类型，专为多种电子应用而设计。此器件具备出色的电气特性和高效能，适用于需要高频开关、高效率以及低导通损耗的电路。该器件采用 SOT-363 封装，具有出色的热管理能力和适合表面贴装的特点，使其在现代电子设备中广泛应用。

二、技术参数

1. 漏源电压（Vdss）: 60V

   • 该参数指示器件能承受的最大漏源电压，能够在各类应用中提供良好的电压耐受性。

2. 连续漏极电流（Id）: 350mA @ 25°C

   • 能够支持连续的漏极电流，使其在中等功率设备中表现出色。

3. 最大导通电阻（Rds(on)）: 2Ω @ 50mA，5V

   • 在给定的电流和栅极电压下，这一低导通电阻有助于降低功耗，提高效率，适合用于高频开关电源及信号调理电路。

4. 阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA

   • 表示开启 FET 的最小栅极电压，提供灵敏的开关控制能力，便于与微控制器和逻辑电路直接相连。

5. 栅极电荷（Qg）: 0.4nC @ 4.5V

   • 低的栅极电荷值意味着较快的开关速度，适合高频应用。

6. 输入电容（Ciss）: 28.5pF @ 30V

   • 适度的输入电容有助于改善开关速度和信号完整性，适用于高速数字电路。

7. 最大功率: 320mW

   • 适合低功耗应用，能够在不造成过热的情况下稳定工作。

8. 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ)

   • 广泛的工作温度范围支持其在极端环境下的稳定性。

三、应用领域

DMN61D9UDW-7 适用于各种行业和领域，包括但不限于：

• 开关电源: 由于其低导通电阻和快速开关特性，可作为功率开关元件。
• LED 驱动电路: 适用于恒流驱动 LED，提供高效能和低功耗的解决方案。
• 通用信号开关: 可用于模拟和数字信号的开关切换。
• 电池管理系统: 能够有效控制高压电池的充电与放电过程。
• 移动与便携设备: 由于其小型封装和低功耗特性，适合嵌入式应用。

四、优势特性

1. 高效率: 凭借低导通损耗，大大减少了热量产生，提升系统整体效率。
2. 快速开关速度: 减少开关损耗，适应高频工作环境，特别是开关电源。
3. 广泛的工作温度: 适应严苛环境，提供可靠性能。
4. 紧凑封装: SOT-363 封装降低了占板面积，使其能在空间受限的场合使用。

五、总结

DMN61D9UDW-7 是一款可靠的 N-通道 MOSFET，具有优异的电气特性和宽广的应用范围，可满足多种现代电子产品对低功耗、高效率和高性能的需求。这款产品不仅具有较强的适应能力和多样化的应用潜力，还凭借其卓越的性能特点，成为设计师在构建高效电路时的重要选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，DMN61D9UDW-7 都将成为推动技术进步的有力助手。