晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 10mA,70mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-UFDFN |
供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
产品型号:DDTC114ELP-7
制造商:DIODES(美台)
封装类型:X1-DFN1006-3
晶体管类型:NPN - 预偏压
DDTC114ELP-7是一款高性能的数字晶体管,专为多种电子应用场景设计,特别适合智能手机、可穿戴设备及其他低功耗电子设备。该晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,且在小型化设计的趋势下,确保了良好的电气性能和热稳定性。
电流增益 (hFE):在Ic为50mA、Vce为5V的条件下,DDTC114ELP-7可达到最小增益100。这使得该晶体管在信号放大过程中能够有效提升输出信号。
Vce饱和压降 (Vce(sat)):在不同的输入电流Ib和输出集电极电流Ic条件下,该器件的最大饱和压降为300mV(在10mA和70mA条件下),这意味着在开关工作时,器件能耗较低,有助于提高电源效率。
截止电流 (Ic(off)):在无负载条件下,集电极截止电流最大为1µA,确保了信号的稳定性和器件的可靠性。
DDTC114ELP-7广泛适用于多种领域,包括但不限于:
该器件使用3-UFDFN表面贴装型封装,尺寸为1.0mm x 0.6mm,采用无铅环保材料,符合RoHS标准。小尺寸的设计不仅减少了PCB板的占用空间,还适应了现代微型化的趋势,同时保证了良好的散热性能。
综上所述,DDTC114ELP-7是一款功能强大且多用途的NPN数字晶体管,具有出色的电气性能和可靠性。其小巧的表面贴装型封装以及优秀的增益和低功耗特性,使其在现代电子设备中成为理想的选择。作为DIODES(美台)制造的优质产品,DDTC114ELP-7无疑是追求高效能和高性价比电子设计中不可或缺的一部分。