DDTC114ELP-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC114ELP-7

商品编码: BM0000743905
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.009g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 DFN-3(1x0.6)
库存 :
3830(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.423
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.423
--
200+
¥0.273
--
1500+
¥0.237
--
3000+
¥0.21
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC114ELP-7参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 10mA,70mA电流 - 集电极截止(最大值)1µA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装型封装/外壳3-UFDFN
供应商器件封装3-X1DFN1006

DDTC114ELP-7手册

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DDTC114ELP-7概述

DDTC114ELP-7 产品概述

产品型号:DDTC114ELP-7
制造商:DIODES(美台)
封装类型:X1-DFN1006-3
晶体管类型:NPN - 预偏压

一、产品基本特性

DDTC114ELP-7是一款高性能的数字晶体管,专为多种电子应用场景设计,特别适合智能手机、可穿戴设备及其他低功耗电子设备。该晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,且在小型化设计的趋势下,确保了良好的电气性能和热稳定性。

  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 集射极最大击穿电压 (Vce):50V
  • 最大功率:250mW
  • 频率响应:250MHz
  • 基极和发射极电阻 (R1 和 R2):10 kOhms

二、电气特性

  1. 电流增益 (hFE):在Ic为50mA、Vce为5V的条件下,DDTC114ELP-7可达到最小增益100。这使得该晶体管在信号放大过程中能够有效提升输出信号。

  2. Vce饱和压降 (Vce(sat)):在不同的输入电流Ib和输出集电极电流Ic条件下,该器件的最大饱和压降为300mV(在10mA和70mA条件下),这意味着在开关工作时,器件能耗较低,有助于提高电源效率。

  3. 截止电流 (Ic(off)):在无负载条件下,集电极截止电流最大为1µA,确保了信号的稳定性和器件的可靠性。

三、应用领域

DDTC114ELP-7广泛适用于多种领域,包括但不限于:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
  • 工业自动化:用于控制电路、信号调理和模拟驱动等。
  • 通信设备:适用于射频(RF)和低噪声放大用途。

四、安装和封装

该器件使用3-UFDFN表面贴装型封装,尺寸为1.0mm x 0.6mm,采用无铅环保材料,符合RoHS标准。小尺寸的设计不仅减少了PCB板的占用空间,还适应了现代微型化的趋势,同时保证了良好的散热性能。

五、性能优势

  • 高频响应能力:250MHz的高频率响应使得DDTC114ELP-7在快速开关和高频应用中表现出色,降低延迟和功耗。
  • 高集电极电流支持:最高可达100mA的集电极电流使得本产品能够处理较大压力与负载,适应多场景的需求。
  • 优良的增益特性:高达100的直流电流增益(hFE)在一定程度上简化电路设计,并降低了对高输入电流的依赖。

六、总结

综上所述,DDTC114ELP-7是一款功能强大且多用途的NPN数字晶体管,具有出色的电气性能和可靠性。其小巧的表面贴装型封装以及优秀的增益和低功耗特性,使其在现代电子设备中成为理想的选择。作为DIODES(美台)制造的优质产品,DDTC114ELP-7无疑是追求高效能和高性价比电子设计中不可或缺的一部分。