FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 380pC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 22.6pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 370mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-SMD,无引线 |
供应商器件封装 | X2-DFN0806-6 |
DMC31D5UDA-7B 是一款由知名品牌 DIODES(美台)生产的双通道场效应管(MOSFET),它集成了一个N沟道和一个P沟道的互补型设计,适合广泛的电子应用。这款产品的设计考虑到了高性能需求,兼具了高效率和稳定性,特别适合在低功耗、高频率的电源管理和信号调节电路中使用。封装采用6-SMD无引线设计(X2-DFN0806-6),使得其在布局上能够更加灵活,符合现代电子产品对小型化和高密度的要求。
DMC31D5UDA-7B 适用于多种应用,包括但不限于:
DMC31D5UDA-7B 采用 X2-DFN0806-6 表面贴装型封装,具有优良的热性能和电气性能,适合于高密度的PCB设计。无引线的设计不仅减小了板面占用空间,还可以显著提高制造工艺的自动化程度。此外,这种封装形式还提高了组件的抗振动能力,增强了设备的可靠性。
DMC31D5UDA-7B 结合了出色的电气性能及可靠性,是现代电子设计中的理想选择。其双通道设计和优化的参数使得这款MOSFET能够在各种应用中提供高效、稳定的性能。无论是用于电源管理、自动化控制还是基础信号调节,DMC31D5UDA-7B 都能够满足客户的需求,帮助工程师实现优秀的设计目标。