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SIR696DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 104W 125V 60A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
5896(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
6.46按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.46
--
100+
￥5.38
--
750+
￥4.98
--
1500+
￥4.75
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIR696DP-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 125V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1410pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR696DP-T1-GE3手册
无数据
SIR696DP-T1-GE3概述
SIR696DP-T1-GE3 产品概述
SIR696DP-T1-GE3 是一款高性能的N通道MOSFET，专为中高功率应用而设计，其卓越的电气性能和先进的封装技术使其在各类电源管理、电机驱动和开关电源等领域得以广泛应用。由威世（VISHAY）制造，该器件结合了高效率、低导通电阻和广泛的工作温度范围，保证了其在严苛环境下的可靠性。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): SIR696DP-T1-GE3 的额定漏源电压为125V，使其能够在高压应用中稳定工作，适合用于直流电压转换及电源管理电路。
- 连续漏极电流 (Id): 在额定温度 (Tc=25°C) 下，该器件可以承载高达60A的连续漏极电流，这为高功率应用提供了强大的驱动能力。
- 驱动电压: 最佳工作条件下，驱动电压为7.5V至10V，确保MOSFET能够以最佳性能进行开关操作。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在10V驱动电压和20A的漏极电流条件下，其最大导通电阻为11.5毫欧。这意味着在开启状态下的功率损耗非常低，从而提高了整体效率。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 在高达4.5V的阈值电压下，该器件在250µA的漏电流下顺利导通，满足了低压驱动的应用需求。
- 输入电容 (Ciss): 其输入电容 (Ciss) 在75V状态下可达1410pF，体现了良好的高频性能，适合高开关频率的电力转换应用。
热管理和功率耗散
功率耗散能力达到104W，这使得SIR696DP-T1-GE3能够在较大的功率范围内运行，而不会因过热而损坏。器件可在-55°C至150°C的广泛温度范围内可靠工作，使其在各种恶劣环境下仍能正常运行，适合工业、汽车和军事等要求苛刻的应用领域。
封装与安装
SIR696DP-T1-GE3采用PowerPAK® SO-8表面贴装封装。这种封装形式不仅有助于对热量的有效管理，还缩小了整体电路的尺寸，使得设计更加紧凑。SO-8封装的引脚布局也便于自动化贴片与焊接工序，提高了生产效率。
应用场景
- 开关电源： SIR696DP-T1-GE3非常适合于开关电源(SMPS)应用，提供高效的能量转换。
- 电机驱动：可用于电机控制系统中，提供强大的启动和负载能力。
- 电力管理系统：其高电流能力和低导通电阻使其成为电力管理和分布式发电系统的优选器件。
- 汽车电子：该器件的高可靠性和工作温度范围使其适应于汽车电子产品，特别是电源转换与电动机控制的应用。
总结
SIR696DP-T1-GE3是一款性能卓越的N通道MOSFET，凭借其高漏源电压和连续漏电流能力，加上低导通电阻与宽工作温度范围，适合于多种苛刻的电力电子应用。通过其高效的热管理和紧凑的封装设计，SIR696DP-T1-GE3为现代电力电子提供了理想解决方案，是工程师设计高效可靠电路时的不二选择。