注：图像仅供参考，请参阅产品规格
BSS138Q-7-F
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
1654(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
0.358按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.358
--
200+
￥0.232
--
1500+
￥0.201
--
3000+
￥0.179
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSS138Q-7-F参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS138Q-7-F手册
无数据
BSS138Q-7-F概述
BSS138Q-7-F 产品概述
产品简介
BSS138Q-7-F 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，具有优异的电气特性和可靠性。该器件由 DIODES (美台) 公司生产，采用 SOT-23 封装，适用于广泛的电子应用，如开关电源、负载驱动、信号开关和电源管理电路。其工作温度范围宽广，适合在恶劣环境中使用。
主要参数
FET 类型: N 通道
- 该器件采用 N 通道 MOSFET 技术，提供出色的电导能力，以及低导通电阻和优秀的电流承载能力。
漏源电压 (Vdss): 50V
- BSS138Q-7-F 能够承受最大漏源电压为 50V，适合用于高电压的应用场景。
电流 - 连续漏极 (Id): 200mA (在 25°C 时)
- 器件在25°C条件下，连续漏极电流可达200mA，满足大多数低功耗应用需求。
导通电阻 (Rds(on)): 最大 3.5Ω @ 220mA，10V
- 低导通电阻意味着该 FET 在工作时会产生更少的热量和功率损耗，提高整体系统效率。
门源电压 (Vgs): 最大 ±20V
- 器件的栅源电压容许范围达到 ±20V，给予设计人员更大的灵活性。
输入电容 (Ciss): 最大 50pF @ 10V
- 该参数确保在高频应用中，器件具有快速的开关速度，从而提高整体系统性能。
功率耗散: 最大 300mW (在 25°C)
- 适合用于中等功率的驱动应用，确保设备的长期稳定性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 宽广的工作温度范围使 BSS138Q-7-F 适用于极端环境中的应用。
封装类型: SOT-23
- 该器件采用表面贴装形式封装(SOT-23)，可实现紧凑的PCB设计，大幅度节省空间。
应用领域
BSS138Q-7-F 适用于多种电子设计和应用，包括但不限于：
- 开关电源: 用作高效开关电路的主要元件，提高电源效率。
- 信号开关: 由于其低导通电阻，适合用于迅速切换信号路径。
- 负载驱动: 在电机驱动和执行器应用中，BSS138Q-7-F 可用作负载开关，提供可靠的电流支持。
- 电源管理: 在电源管理系统中，它能够控制电源输出，有效优化系统电能使用。
总结
BSS138Q-7-F 是一款极具性价比的 N 通道 MOSFET，适合广泛的电子应用，特别是在空间受限、功率要求适中的场合。其优越的性能参数使其成为设计师进行高效能、高可靠性电路设计的首选。凭借其广泛的工作温度范围和稳定的电气特性，BSS138Q-7-F 在极端环境和长时间持续运行的应用中展现出卓越的适应能力，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。