ZXTP5401ZTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXTP5401ZTA

商品编码: BM0000743834
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 1.2W 150V 600mA PNP SOT-89-3
库存 :
3037(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.91
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.91
--
50+
¥0.455
--
1000+
¥0.396
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTP5401ZTA参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)150V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值1.2W频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89-3

ZXTP5401ZTA手册

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ZXTP5401ZTA概述

ZXTP5401ZTA 产品概述

ZXTP5401ZTA 是一款由美台半导体公司(DIODES)制造的高性能PNP型晶体管。该器件以其卓越的电气特性和广泛的应用范围,成为电子设计师和工程师在多种应用中理想的选择。以下是该产品的详细技术参数和应用领域分析。

主要技术参数

  1. 晶体管类型:PNP

    • 该晶体管为PNP类型,适合用于需要较低开关电压的应用中。
  2. 电流 - 集电极 (Ic):最大600mA

    • 高达600mA的集电极电流,能够支持较大的负载,使其适用于多种高功率应用。
  3. 电压 - 集射极击穿(最大值):150V

    • 其150V的击穿电压确保了该器件在高电压环境中的可靠性与稳定性,适合多种中高电压的电路应用。
  4. Vce 饱和压降:最大500mV @ 5mA,50mA

    • 低饱和电压特性意味着在开关过程中,能耗更低,提高了整体电路的效率,适用于电源开关和信号放大等应用。
  5. 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

    • 极低的集电极截止电流(ICBO)使得该器件在静态条件下的功耗极小,从而提高了电路的功率效率。
  6. DC 电流增益 (hFE):最小60 @ 10mA,5V

    • 此参数表明该器件在有效工作范围内能够提供良好的电流增益,提升了信号放大的能力。
  7. 功率 - 最大值:1.2W

    • 1.2W的最大功率输出,能够很好地满足一般电子设备的功率需求。
  8. 频率 - 跃迁:100MHz

    • 具备100MHz的射频响应能力,使其在高频电子应用中表现出色,适用于射频放大器等应用。
  9. 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    • 宽广的工作温度范围使ZXTP5401ZTA适合在各种苛刻的环境中稳定工作。
  10. 安装类型:表面贴装型

    • 表面贴装设计使得该器件适合现代电子设备中的低占板空间需求,便于整体设备的小型化。
  11. 封装/外壳:TO-243AA/SOT-89-3

    • SOT-89-3封装提供了良好的热管理特性,确保器件在高功率工作时不会过热。

应用领域

ZXTP5401ZTA适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 电源开关:由于其高电流和高电压承载能力,适合用于开关电源和线性稳压电源的控制。

  • 信号放大:其DC电流增益和低饱和电压特性使其适合用于音频放大器和射频放大器的设计中。

  • 开关电路:在各种自动化设备和控制系统中,ZXTP5401ZTA可以用来实现高效的开关控制。

  • 线性离散组件:适用于常见的线性电路中,如偏置电路和反馈控制电路。

  • 汽车电子:其高环境适应性(宽温范围)使其非常适合在汽车电子系统中应用。

总结

ZXTP5401ZTA 是一款兼具高电压、高电流和低功耗的PNP晶体管,凭借其出色的电气特性与优越的稳定性,在现代电子产品中具有广泛的应用潜力。无论是电源管理、信号处理还是高频开关控制,它都能提供可靠的性能,是设计师在电路设计时的优选器件。对任何追求高效率、小尺寸及可靠性的设计来说,ZXTP5401ZTA都会是一个理想的解决方案。