DMP1055USW-7
DMP1055USW-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 48 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 660mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1028pF @ 6V |
DMP1055USW-7手册
DMP1055USW-7概述
DMP1055USW-7 产品概述
一、基本信息
DMP1055USW-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 通道MOSFET场效应管，具有出色的性能和可靠性，广泛应用于各种电子电路中。其独特的设计和参数使其非常适合在功率管理、电源切换和负载开关等应用中使用。
二、产品规格
- 类型： P 通道 MOSFET
- 封装形式： SOT-363（6-TSSOP, SC-88）
- 工作电压：漏源电压 (Vdss) 最大值为 12V
- 最大漏极电流： Id 为 3.8A（在25°C时）
- 导通电阻： 最大值为 48 毫欧 @ 3A, 4.5V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值 1V @ 250µA
- 最大功率耗散 (Pd)：660mW
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 输入电容 (Ciss)：最大值 1028pF @ 6V
- 栅极电荷 (Qg)：最大值 13nC @ 4.5V
- 栅源电压 (Vgs)：最大值 ±8V
三、产品特点
DMP1055USW-7 的设计采用金属氧化物半导体技术（MOSFET），具有高效能和低功耗的优点。它的 P 通道特性使其在高侧开关应用中表现尤为突出，相比于 N 通道 MOSFET，P 通道 MOSFET 在高侧开关设计中使用时省却了复杂的门驱动电路，简化了系统的设计。
四、应用场景
DMP1055USW-7 在电子电路中有着广泛的应用，以下是一些典型应用：
电源管理：用于开关电源的电源控制，可以通过控制 MOSFET 的导通和截止，实现高效的电力传送和调节。
负载开关：可以用于各种电路中的负载开关设计，通过控制 MOSFET 的开关状态，精确调节电流的流向和流量。
电池管理系统：在锂电池充电和放电场景中，MOSFET 可用于控制电池的切换以及提升系统的能效和稳定性。
过流保护：可在过流情况下及时切断电源，确保设备的可靠性和安全性。
五、优势
高效能：DMP1055USW-7 具有低导通电阻特性，使其在工作过程中能够降低能量损耗，提升整体系统的效率。
高温工作能力：它的工作温度范围可达到 -55°C ~ 150°C，适合于各种严苛环境下的使用，确保系统在宽温范围内稳定运行。
易于集成：采用 SOT-363 封装，适合于表面贴装技术，便于在高密度电子设备中进行集成。
高可靠性：作为 Diodes Incorporated 的产品，DMP1055USW-7 受益于公司在器件设计和制造方面的专业经验，提供优秀的长期稳定性和可靠性。
六、总结
DMP1055USW-7 是一款优良的 P 通道 MOSFET，具备高频开关能力和低导通电阻等许多卓越的性能指标。其在电源管理、负载开关和电池管理等领域的广泛应用，突显了其设计的灵活性和多功能性。无论是在消费电子、工业控制还是电动车辆等应用中，DMP1055USW-7 都可以推动系统性能的提升，助力设计工程师实现更高效、更可靠的电子产品方案。