FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 393pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta), 1.8W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
产品名称: DMT3020LFDF-7
产品类型: N通道 MOSFET
品牌: DIODES(美台)
封装类型: U-DFN2020-6
DMT3020LFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,适合多种电子设备和电源管理应用。它采用先进的金属氧化物半导体技术,具有出色的电气性能和可靠性。凭借其较高的漏源电压、连续漏极电流和较低的导通电阻,DMT3020LFDF-7 在现代电子设计中被广泛应用,尤其是在便携式及电源转换设备中。
DMT3020LFDF-7 采用 U-DFN2020-6 封装,尺寸小巧,适合高密度布局的印刷电路板(PCB)。这种裸露焊盘封装帮助提高散热性能,并提供设计灵活性,适合现代紧凑型电子设备的需求。U-DFN2020-6 封装的设计不仅优化了电气性能,同时也降低了装配空间。
DMT3020LFDF-7 可广泛应用于以下场景:
DMT3020LFDF-7 是一款集高效率、低功耗于一身的 N 通道 MOSFET,适用于多种应用领域。凭借其出色的技术参数和适应性,该产品为设计工程师在电源管理、驱动控制以及自动化系统中提供了强有力的方案。无论在设计新产品还是在替换传统元器件时,DMT3020LFDF-7 均能提供优良的性能与可靠性,确保电子设备在高负荷及极端环境中稳定运行。