晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-723 |
供应商器件封装 | VMT3 |
一、基本信息
DTC115EMT2L是一款高度集成的数字晶体管,专为多种应用场景设计,主要以NPN预偏置类型为主,提供了良好的电气性能和可靠性。该产品具有多项优异参数,使其适用于自动化控制、电信设备、医疗设备等领域的开关和放大电路。
二、关键参数
晶体管类型:DTC115EMT2L是NPN型晶体管,具有预偏置特性,确保了快速响应和高效率的工作状态。
集电极电流 (Ic):该器件能够支持最大20mA的集电极电流,适应较多的应用需求。
集射极击穿电压 (Vce):此晶体管的最大集射极击穿电压为50V,适合用于高压环境下的电路设计,能有效防止过压的损害。
直流电流增益 (hFE):在条件为5mA集电极电流和5V的电压下,最小直流电流增益为82,保证了在小信号条件下的放大性能,使得其在开关电路和放大电路中表现出色。
饱和压降 (Vce,sat):在250µA的基极电流与5mA集电极电流条件下,最大饱和压降为300mV。这一特性有效降低了功耗,提高了电路的工作效率。
截止电流 (Ic(off)):该器件的最大截止电流为500nA,表明其在关闭状态下的漏电流极小,提升了整体电路的稳定性和效率。
频率响应:DTC115EMT2L的跃迁频率高达250MHz,适合高频应用,确保在快速变化信号中的可靠功能。
功率处理能力:该产品的最大功率为150mW,能够在保证性能的同时,有效散发产生的热量,降低电路故障几率。
封装类型:DTC115EMT2L采用SOT-723表面贴装封装,这一紧凑设计有助于节省电路板空间,适应现代小型化电子设备的需求。
三、应用场景
DTC115EMT2L广泛应用于各类电子产品中,例如:
四、使用建议
在使用DTC115EMT2L时,推荐配合适当的基础电阻器,如基极(R1)和发射极(R2)均为100 kΩ,以便实现最佳工作状态。同时,考虑到其频率响应特点,设计高频电路时应注意其布局和走线,以确保信号的完整性与稳定性。
五、总结
总的来说,DTC115EMT2L凭借卓越的性能参数、出色的工作效率以及适应性,成为了现代电子设计中的一种理想选择。其所具备的特性能够满足多样化的应用需求,为电子产品的可靠性和性能提供了保障。无论在高频通信、电子开关,还是在细节控制电路中,DTC115EMT2L都能够发挥重要作用,助力电子设备的创新与发展。