DTC115EMT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC115EMT2L

商品编码: BM0000738086
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 20mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.232
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.232
--
500+
¥0.155
--
4000+
¥0.134
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC115EMT2L参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)100 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)82 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VMT3

DTC115EMT2L手册

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DTC115EMT2L概述

产品概述:DTC115EMT2L

一、基本信息

DTC115EMT2L是一款高度集成的数字晶体管,专为多种应用场景设计,主要以NPN预偏置类型为主,提供了良好的电气性能和可靠性。该产品具有多项优异参数,使其适用于自动化控制、电信设备、医疗设备等领域的开关和放大电路。

二、关键参数

  1. 晶体管类型:DTC115EMT2L是NPN型晶体管,具有预偏置特性,确保了快速响应和高效率的工作状态。

  2. 集电极电流 (Ic):该器件能够支持最大20mA的集电极电流,适应较多的应用需求。

  3. 集射极击穿电压 (Vce):此晶体管的最大集射极击穿电压为50V,适合用于高压环境下的电路设计,能有效防止过压的损害。

  4. 直流电流增益 (hFE):在条件为5mA集电极电流和5V的电压下,最小直流电流增益为82,保证了在小信号条件下的放大性能,使得其在开关电路和放大电路中表现出色。

  5. 饱和压降 (Vce,sat):在250µA的基极电流与5mA集电极电流条件下,最大饱和压降为300mV。这一特性有效降低了功耗,提高了电路的工作效率。

  6. 截止电流 (Ic(off)):该器件的最大截止电流为500nA,表明其在关闭状态下的漏电流极小,提升了整体电路的稳定性和效率。

  7. 频率响应:DTC115EMT2L的跃迁频率高达250MHz,适合高频应用,确保在快速变化信号中的可靠功能。

  8. 功率处理能力:该产品的最大功率为150mW,能够在保证性能的同时,有效散发产生的热量,降低电路故障几率。

  9. 封装类型:DTC115EMT2L采用SOT-723表面贴装封装,这一紧凑设计有助于节省电路板空间,适应现代小型化电子设备的需求。

三、应用场景

DTC115EMT2L广泛应用于各类电子产品中,例如:

  • 自动化控制系统:能够在控制电路中用作开关元件,保证设备在各种条件下可靠工作。
  • 电信设备:在信号处理和放大过程中,充分利用其高频特性,确保信号质量。
  • 医疗设备:提供稳定的电流和电压控制,为医院设备的运行提供支持。
  • 消费电子产品:由于其体积小、性能优良,适用于智能手机、平板电脑等现代消费电子的电源管理方案。

四、使用建议

在使用DTC115EMT2L时,推荐配合适当的基础电阻器,如基极(R1)和发射极(R2)均为100 kΩ,以便实现最佳工作状态。同时,考虑到其频率响应特点,设计高频电路时应注意其布局和走线,以确保信号的完整性与稳定性。

五、总结

总的来说,DTC115EMT2L凭借卓越的性能参数、出色的工作效率以及适应性,成为了现代电子设计中的一种理想选择。其所具备的特性能够满足多样化的应用需求,为电子产品的可靠性和性能提供了保障。无论在高频通信、电子开关,还是在细节控制电路中,DTC115EMT2L都能够发挥重要作用,助力电子设备的创新与发展。