IRFB4321PBF
IRFB4321PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 33A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4460pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 350W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4321PBF手册
IRFB4321PBF概述
产品概述：IRFB4321PBF N通道MOSFET
IRFB4321PBF是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名供应商英飞凌（Infineon）制造，专为高功率应用而设计。这款MOSFET以其优异的电气特性和宽泛的工作范围而著称，广泛应用于工业驱动、开关电源、以及高电压高电流的电子设备中。
关键参数
漏源电压（Vdss）: IRFB4321PBF能够承受高达150V的漏源电压，适合于许多高电压应用，确保在电压波动和瞬态情况下的稳定性。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，这款MOSFET的最大连续漏极电流可达85A（在结温Tc时），显示出良好的电流承载能力，适合需要大功率驱动的负载。
导通电阻（Rds On）: 该器件在10V的栅极驱动下，其导通电阻最大值为15毫欧，针对33A的电流，这能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: IRFB4321PBF的最大栅极阈值电压为5V（在250µA电流下），确保在适宜的栅极电压下能够实现快速的导通。
栅极电荷（Qg）: 此款MOSFET在10V的栅极驱动下具有最高的栅极电荷为110nC，低栅极电荷使其在开关操作中速度更快，减少失真和开关损耗。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为4460pF（在50V电压下），相对较小的输入电容使得IRFB4321PBF适合快速的开关应用。
功率耗散: 该器件在工作时最大可承受功率耗散高达350W（在Tc条件下），符合高功率应用的要求。
工作温度范围: IRFB4321PBF的工作温度范围极广，从-55°C到175°C，能够在严酷的环境下稳定工作，适配各种气候和工作状态。
封装与安装
IRFB4321PBF采用TO-220AB封装，这种通孔设计不仅保证了良好的散热性能，还有助于提高连接的可靠性。TO-220封装常用于需要良好热管理的高功率设备，其机械强度和电气性能达到了工业应用的高标准。
应用场景
由于其卓越的性能，IRFB4321PBF在多个领域得到广泛应用：
开关电源: 适用于高频开关电源，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。
电动机驱动: 在工业电机控制中，由于其高电流能力和良好的热管理，广泛用于各种电动机驱动和控制系统。
电力转换器: 在逆变器和变频器等电力转换器中，作为主要的开关元件，可实现高效的能量转换。
轨道交通与电力系统: 在高电压接入和分配系统中，IRFB4321PBF同样扮演着重要角色。
总结
总的来说，IRFB4321PBF是一款集高电压、高电流及低导通电阻于一体的高性能N通道MOSFET，其稳定性和可靠性使其非常适合用于各种高功率电子应用。随着电子设备功率需求的不断提升，IRFB4321PBF凭借其优秀的性能参数，定将继续在未来的工业和消费电子领域中展现出巨大的潜力。