FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7 欧姆 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 270pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 50W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRFR9310TRPBF 是由 VISHAY(威世)制造的一款高性能 P 通道 MOSFET,广泛应用于需要高电压、高电流处理的电子电路中。凭借其卓越的电气性能和可靠性,该器件非常适合用于电源管理、开关变换器、马达驱动和高效能功率调节等多种应用场景。它的主要特点包括额定漏源电压为400V、连续漏极电流1.8A以及高达50W的功率耗散能力。
IRFR9310TRPBF的应用场景十分广泛。由于其高耐压和高电流能力,它非常适合用于:
IRFR9310TRPBF 凭借其卓越的性能参数、可靠性和适用性,是设计电源管理系统和马达驱动等设备的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是其他高要求的场景中,都能为工程师提供更高效的解决方案,助力实现更优的电气性能与更长的使用寿命。随着电子技术的发展,该器件必将在未来的智能设备和高效能系统中继续发挥重要作用。