IRFR9310TRPBF 产品实物图片
IRFR9310TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFR9310TRPBF

商品编码: BM0000738076
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
D-Pak
包装 : 
编带
重量 : 
0.447g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 400V 1.8A 1个P沟道 TO-252-2
库存 :
100(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
4.27
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.27
--
100+
¥3.56
--
1000+
¥3.56
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR9310TRPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)400V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)13nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)270pF @ 25V
功率耗散(最大值)50W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRFR9310TRPBF手册

empty-page
无数据

IRFR9310TRPBF概述

IRFR9310TRPBF 产品概述

概述

IRFR9310TRPBF 是由 VISHAY(威世)制造的一款高性能 P 通道 MOSFET,广泛应用于需要高电压、高电流处理的电子电路中。凭借其卓越的电气性能和可靠性,该器件非常适合用于电源管理、开关变换器、马达驱动和高效能功率调节等多种应用场景。它的主要特点包括额定漏源电压为400V、连续漏极电流1.8A以及高达50W的功率耗散能力。

主要规格参数

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 400V,适合高电压应用
  • 最大连续漏极电流 (Id): 1.8A(在Tc=25°C下)
  • 导通电阻 (Rds(on)):
    • 最大7欧姆 @ Id=1.1A,Vgs=10V
  • 栅极源电压 (Vgs): 最大±20V,确保在不同驱动条件下的安全性
  • 阈值电压 (Vgs(th)):
    • 最大4V @ 250µA,适合低千伏门驱动
  • 栅极电荷 (Qg):
    • 最大13nC @ Vgs=10V,保证高频开关性能
  • 输入电容 (Ciss):
    • 最大270pF @ 25V,能够快速响应
  • 功率耗散 (Pd): 最大50W(在Tc的条件下)
  • 工作环境温度范围: -55°C 至 150°C,使得器件可以在恶劣环境下稳定工作
  • 安装类型: 表面贴装型,适用于现代SMT生产工艺
  • 封装形式: D-Pak(TO-252-3),小型化设计,适合高密度电路

应用领域

IRFR9310TRPBF的应用场景十分广泛。由于其高耐压和高电流能力,它非常适合用于:

  • 电源管理: 在开关电源和DC-DC转换器中,采用MOSFET可以实现高效能的电源转换,提高整体能量效率。
  • 马达驱动: 由于其良好的开关特性和相对较低的导通阻抗,它能够有效地驱动各种类型的电机,包括步进电机和直流电机。
  • 智能控制系统: 由于其能够承受极端情况(如温度、冲击等),IRFR9310TRPBF非常适合用于智能家居、工业自动化等领域中的电气控制。

特点与优势

  1. 高可靠性: 作为VISHAY的产品,IRFR9310TRPBF经过严格的测试,满足高标准的质量控制,器件的寿命和可靠性都有保障。
  2. 出色的热性能: 优秀的功率耗散能力,使其在高温应用中表现出色,能够有效防止过热和损坏。
  3. 紧凑的封装: D-Pak封装使得此器件在高密度电路设计中具备较小的占用面积,便于在空间有限的设计中使用。
  4. 出色的开关速度: 其低栅电荷和小输入电容,使得该MOSFET可以实现快速开关,适合高频率的应用。

总结

IRFR9310TRPBF 凭借其卓越的性能参数、可靠性和适用性,是设计电源管理系统和马达驱动等设备的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是其他高要求的场景中,都能为工程师提供更高效的解决方案,助力实现更优的电气性能与更长的使用寿命。随着电子技术的发展,该器件必将在未来的智能设备和高效能系统中继续发挥重要作用。