电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 3V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 95 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 200°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 供应商器件封装 | LLDS;MiniMelf |
产品概述:BZV55-C3V0,115 稳压二极管
BZV55-C3V0,115 是由安世半导体(Nexperia)制造的一款高性能稳压二极管,广泛应用于电源管理和保护电路中。作为一款独立式的齐纳二极管,BZV55-C3V0,115 提供了稳定的3V电压输出,具有出色的线性和负载调节能力,特别适合用于需要电压稳压和过压保护的电子设备。
BZV55-C3V0,115 的标称齐纳电压为 3V,容差为 ±5%,这使得该器件能够在 ±0.15V 的电压范围内稳定工作,适合不同的应用需求。最大功率为 500mW,确保在大多数工业以及商业应用中足够的功率处理能力。设备在其数据表中指定的阻抗(最大值)为 95Ω,这意味着它在高频应用中能有效减少对信号质量的影响。
在反向操作模式下,反向泄漏电流(10µA @ 1V)相对较低,使其适合应用于对功耗敏感的电路。此外,正向电压降为 900mV @ 10mA,这使得器件在正向导通的情况下具有比较低的能量损耗。
BZV55-C3V0,115 的工作温度范围广泛,从 -65°C 到 200°C。这样的宽温度范围使其在极端的环境条件下表现出色,能够满足航空航天、汽车及工业设备等高要求场合的应用需求。
该稳压二极管采用表面贴装型(SMD)方式,便于在现代电子设备中进行自动化生产和装配。配备 DO-213AC、MINI-MELF 和 SOD-80 等封装形式,使得其适合于多种电路板设计和空间限制的应用。这些小型封装不仅有助于降低元器件的空间占用,还能提升电路的整体性能。
由于其优异的性能参数,BZV55-C3V0,115 被广泛应用于各类电子设备中,如:
总的来说,BZV55-C3V0,115 是一款功能强大、性能稳定且适用范围广泛的稳压二极管。其极低的反向泄漏电流、宽工作温度范围及稳定的齐纳电压输出,使其成为各类电子电路中的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是高可靠性应用中,BZV55-C3V0,115 都能提供优秀的性能表现,对设计工程师来说,是值得考虑的重要组件。